| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-28页 |
| 1.1 射频微机电系统(RF MEMS)概述 | 第10-17页 |
| 1.1.1 RF MEMES的定义和特点 | 第10-11页 |
| 1.1.2 RF MEMS基本元件和组件 | 第11-15页 |
| 1.1.3 RF MEMS应用系统 | 第15-17页 |
| 1.2 RF MEMS移相器 | 第17-20页 |
| 1.2.1 基本类型及性能 | 第17-19页 |
| 1.2.2 分布式RF MEMS移相器 | 第19-20页 |
| 1.3 射频微机电系统封装 | 第20-23页 |
| 1.3.1 MEMS封装概述 | 第20-21页 |
| 1.3.2 RF MEMS封装要求 | 第21-22页 |
| 1.3.3 封装效应 | 第22-23页 |
| 1.3.3.1 热致封装效应 | 第22-23页 |
| 1.3.3.2 与结构、材料等有关的封装效应 | 第23页 |
| 1.4 RF MEMS器件-封装系统分析方法 | 第23-27页 |
| 1.4.1 解析方法 | 第24页 |
| 1.4.2 数值分析方法 | 第24页 |
| 1.4.3 宏模型分析方法 | 第24-27页 |
| 1.5 本论文的主要研究工作 | 第27-28页 |
| 第二章 分布式RF MEMS移相器器件-封装系统基本模型 | 第28-46页 |
| 2.1 MEMS开关模型 | 第28-32页 |
| 2.1.1 力学模型 | 第28-31页 |
| 2.1.1.1 静态特性 | 第28-30页 |
| 2.1.1.2 动态特性 | 第30-31页 |
| 2.1.2 电学模型 | 第31-32页 |
| 2.2 分布式MEMS传输线(DMTL)模型 | 第32-35页 |
| 2.3 基于基本梁理论的多层梁模型 | 第35-36页 |
| 2.3.1 梁状单元的概念 | 第35页 |
| 2.3.2 多层梁模型 | 第35-36页 |
| 2.4 基于分布节点方法的梁状单元模型 | 第36-39页 |
| 2.4.1 分布节点的概念和方法 | 第36-37页 |
| 2.4.2 梁状单元的分布节点模型 | 第37-39页 |
| 2.5 基于等效电路方法的梁状单元模型 | 第39-45页 |
| 2.5.1 非电系统电路等效方法 | 第39-43页 |
| 2.5.1.1 机电类比规则 | 第41-42页 |
| 2.5.1.2 非线性常微分方程组微分方程组的电路等效 | 第42-43页 |
| 2.5.2 梁状单元的集总节点模型 | 第43-44页 |
| 2.5.3 梁状单元集总节点模型的电路等效 | 第44-45页 |
| 2.6 本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 分布式RF MEMS移相器热致封装效应模型分析 | 第46-64页 |
| 3.1 RF MEMS分布式移相器热致封装效应 | 第46-47页 |
| 3.1.1 器件-封装系统总体结构 | 第46页 |
| 3.1.2 热致封装效应 | 第46-47页 |
| 3.2 基于简化解析模型的热致封装效应分析方法 | 第47-48页 |
| 3.2.1 总体模型 | 第47-48页 |
| 3.2.2 热致封装效应分析方法 | 第48页 |
| 3.3 基于分布节点矩阵模型的热致封装效应分析方法 | 第48-53页 |
| 3.3.1 总体模型 | 第48-51页 |
| 3.3.2 热致封装效应分析方法 | 第51-53页 |
| 3.4 基于等效电路模型的热致封装效应分析方法 | 第53-56页 |
| 3.4.1 总体模型 | 第53-54页 |
| 3.4.2 热致封装效应分析方法 | 第54-56页 |
| 3.5 实例分析与FEM仿真验证 | 第56-63页 |
| 3.5.1 器件-封装结构设计 | 第56-59页 |
| 3.5.2 模型分析与仿真验证 | 第59-63页 |
| 3.5.2.1 方法与步骤 | 第59-60页 |
| 3.5.2.2 结果及讨论 | 第60-63页 |
| 3.6 本章小结 | 第63-64页 |
| 第四章 分布式RF MEMS移相器热致封装效应实验研究 | 第64-90页 |
| 4.1 样品的制备与测试 | 第64-77页 |
| 4.1.1 选择材料 | 第64-67页 |
| 4.1.2 确定工艺方案 | 第67-69页 |
| 4.1.3 设计版图 | 第69-73页 |
| 4.1.3.1 版图设计规则 | 第69-70页 |
| 4.1.3.2 版图设计及说明 | 第70-73页 |
| 4.1.4 制备芯片 | 第73-74页 |
| 4.1.5 封装芯片 | 第74-76页 |
| 4.1.6 测试样品 | 第76-77页 |
| 4.2 分布式RF MEMS移相器热致封装效应测试分析 | 第77-84页 |
| 4.2.1 封装前后移相器相移特性对比分析 | 第77-80页 |
| 4.2.2 不同片上位置移相器封装效应对比分析 | 第80-81页 |
| 4.2.3 不同开关梁长的移相器封装效应对比分析 | 第81-82页 |
| 4.2.4 不同开关电容比的移相器封装效应对比分析 | 第82-84页 |
| 4.3 一种基于分布式RF MEMS移相器的封装热应力测量方法 | 第84-88页 |
| 4.3.1 测量原理、方法与步骤 | 第84-85页 |
| 4.3.2 实例验证 | 第85-88页 |
| 4.4 本章小结 | 第88-90页 |
| 第五章 总结与展望 | 第90-92页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第90页 |
| 5.2 对进一步研究工作的展望 | 第90-92页 |
| 致谢 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-102页 |
| 图表索引 | 第102-106页 |
| 在学期间发表论文 | 第106页 |
