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铜—甘氨酸体系的光谱电化学研究

致谢第6-7页
摘要第7-8页
abstract第8页
符号清单第11-14页
第一章 绪论第14-24页
    1.1 铜与甘氨酸相互作用研究第14-18页
        1.1.1 铜-氨基酸体系电化学行为的研究第14页
        1.1.2 甘氨酸在金属表面氧化和吸附行为的研究第14-15页
        1.1.3 铜氨基酸配合物性质的电化学研究第15页
        1.1.4 甘氨酸在金属电沉积和电镀方面的应用研究第15-16页
        1.1.5 金属-甘氨酸体系在合成领域的应用研究第16页
        1.1.6 甘氨酸在铜的化学机械抛光中的机理研究第16-17页
        1.1.7 铜-甘氨酸体系在腐蚀领域的应用研究第17-18页
    1.2 甘氨酸简介及其铜配合物结构研究第18-20页
        1.2.1 甘氨酸的结构和理化性质第18-19页
        1.2.2 甘氨酸的生理作用第19页
        1.2.3 甘氨酸与铜配合物的结构研究第19-20页
    1.3 紫外可见薄层光谱电化学方法第20-22页
        1.3.1 光谱电化学法简介第20-21页
        1.3.2 光谱电化学池第21页
        1.3.3 紫外可见薄层光谱电化学方法第21-22页
        1.3.4 循环伏吸法第22页
    1.4 本课题的研究意义及实验方案第22-24页
第二章 铜离子甘氨酸溶液的电化学行为第24-36页
    2.1 引言第24页
    2.2 实验部分第24-27页
        2.2.1 实验试剂与仪器第24页
        2.2.2 溶液的配制第24-25页
        2.2.3 碳糊电极的制备及处理第25-26页
        2.2.4 实验方法第26-27页
    2.3 结果与讨论第27-35页
        2.3.1 甘氨酸对铜离子伏安行为的影响第27-28页
        2.3.2 甘氨酸浓度对沉积铜氧化的影响第28-29页
        2.3.3 扫描电势范围对沉积铜氧化的影响第29页
        2.3.4 富集时间对沉积铜氧化的影响第29-30页
        2.3.5 检测铜离子的差分脉冲伏安曲线第30页
        2.3.6 其它离子对电化学过程的影响第30-31页
        2.3.7 电极上沉积产物的表征第31-35页
    2.4 本章小结第35-36页
第三章 甘氨酸溶液中纳米铜箔的光谱电化学研究第36-54页
    3.1 引言第36页
    3.2 实验部分第36-39页
        3.2.1 实验试剂与仪器第36-37页
        3.2.2 溶液的配制第37页
        3.2.3 实验装置图第37页
        3.2.4 薄层池的制作第37-39页
        3.2.5 实验方法第39页
    3.3 结果与讨论第39-52页
        3.3.1 纳米铜箔的薄层光谱电化学UV-vis测试第39-44页
        3.3.2 CVA法研究纳米铜箔在不同甘氨酸浓度下的电化学行为第44-47页
        3.3.3 逆向扫描的CVA曲线第47页
        3.3.4 延伸到更正电势的的循环伏吸测试第47-50页
        3.3.5 更高pH条件下的循环伏吸测试第50-52页
    3.4 本章小结第52-54页
第四章 强碱溶液中铜甘氨酸溶液的电化学研究第54-62页
    4.1 引言第54页
    4.2 实验部分第54-55页
        4.2.1 实验试剂与仪器第54-55页
        4.2.2 溶液的配制第55页
        4.2.3 工作电极的制备及实验方法第55页
    4.3 结果与讨论第55-61页
        4.3.1 强碱溶液中甘氨酸对铜离子伏安行为的影响第55-56页
        4.3.2 强碱溶液中起始电势对纳米氧化铜生成的影响第56-57页
        4.3.3 修饰电极制备条件的优化第57-60页
        4.3.4 sCPE与CuO/sCPE催化葡萄糖氧化的效果比较第60-61页
    4.4 本章小结第61-62页
第五章 总结第62-64页
参考文献第64-71页
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况第71-72页

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