| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-17页 |
| 1.2 硅基毫米波低噪声放大器国内外研究动态 | 第17-22页 |
| 1.3 本文的组织安排 | 第22-24页 |
| 第二章 低噪声放大器的基本概念 | 第24-39页 |
| 2.1 E-band无线通信系统概述 | 第24-25页 |
| 2.2 低噪声放大器指标 | 第25-36页 |
| 2.2.1 噪声系数 | 第25-26页 |
| 2.2.2 功率增益 | 第26-27页 |
| 2.2.3 输入阻抗匹配 | 第27-30页 |
| 2.2.4 稳定性 | 第30-31页 |
| 2.2.5 线性度 | 第31-35页 |
| 2.2.6 工作带宽 | 第35-36页 |
| 2.3 毫米波低噪声放大器设计难点 | 第36-39页 |
| 2.3.1 晶体管的工作频率接近截止频率 | 第36-37页 |
| 2.3.2 无源器件的设计 | 第37页 |
| 2.3.3 寄生效应 | 第37-39页 |
| 第三章 片上无源器件建模和仿真 | 第39-60页 |
| 3.1 电感 | 第39-54页 |
| 3.1.1 平面螺旋电感 | 第39-40页 |
| 3.1.2 电感的基本性能 | 第40-43页 |
| 3.1.3 片上电感的损耗机制 | 第43-45页 |
| 3.1.4 版图设计参数对电感Q值的影响 | 第45-47页 |
| 3.1.5 电感的仿真 | 第47-54页 |
| 3.2 变压器 | 第54-60页 |
| 3.2.1 变压器的基本特性 | 第54-55页 |
| 3.2.2 变压器的设计 | 第55-58页 |
| 3.2.3 变压器巴伦 | 第58-60页 |
| 第四章 E-band(71～76GHz&81～86GHz)低噪声放大器设计 | 第60-74页 |
| 4.1 E-band(71～76GHz&81～86GHz)低噪声放大器的设计指标 | 第60页 |
| 4.2 E-band(71～76GHz&81～86GHz)低噪声放大器的电路结构 | 第60-61页 |
| 4.3 静态工作点的设置 | 第61-63页 |
| 4.4 共源共栅结构分析 | 第63-66页 |
| 4.4.1 级间电感L_M的引入 | 第63-65页 |
| 4.4.2 共源共栅结构稳定性分析 | 第65-66页 |
| 4.5 电路噪声分析 | 第66-68页 |
| 4.6 MOS管的尺寸和版图设计 | 第68-71页 |
| 4.7 输入匹配网络 | 第71-72页 |
| 4.8 毫米波低噪声放大器的设计方法 | 第72-74页 |
| 第五章 低噪声放大器版图实现及后仿真结果 | 第74-88页 |
| 5.1 71～76GHz低噪声放大器 | 第74-81页 |
| 5.1.1 71～76GHz低噪声放大器版图的设计 | 第74-76页 |
| 5.1.2 71～76GHz低噪声放大器后仿结果 | 第76-81页 |
| 5.2 81～86GHz低噪声放大器 | 第81-88页 |
| 5.2.1 81～86GHz低噪声放大器版图的设计 | 第81-82页 |
| 5.2.2 81~86GHz低噪声放大器后仿结果 | 第82-88页 |
| 第六章 总结与展望 | 第88-91页 |
| 6.1 总结 | 第88-90页 |
| 6.2 展望 | 第90-91页 |
| 附录 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-97页 |
| 致谢 | 第97页 |
