摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-9页 |
第一章 研究背景 | 第13-45页 |
1.1 分子筛的研究进展 | 第13-14页 |
1.2 分子筛的特征与应用 | 第14-16页 |
1.3 分子筛的孔道限制 | 第16页 |
1.4 解决分子筛孔道限制的方法 | 第16-21页 |
1.4.1 合成非常小的分子筛纳米晶粒 | 第17-18页 |
1.4.2 合成超大孔分子筛’ | 第18-20页 |
1.4.3 合成多级孔分子筛材料 | 第20-21页 |
1.5 层状分子筛解决孔道限制的策略 | 第21-32页 |
1.5.1 层状分子筛的合成及其结构特征 | 第21-26页 |
1.5.2 层状分子筛的柱撑 | 第26-29页 |
1.5.3 层状分子筛的剥离 | 第29-31页 |
1.5.4 层状分子筛的层间扩孔 | 第31-32页 |
1.6 选题目的与意义 | 第32-34页 |
参考文献 | 第34-45页 |
第二章 Nu-6(1)层间插硅修饰及其结构表征 | 第45-69页 |
2.1 前言 | 第45-46页 |
2.2 实验部分 | 第46-52页 |
2.2.1 分子筛层状前驱体Nu-6(1)的合成 | 第46页 |
2.2.2 Nu-6(1)层间插硅 | 第46-47页 |
2.2.3 表征方法 | 第47页 |
2.2.4 应用同步辐射测定XRD和结构精修 | 第47-52页 |
2.2.5 催化反应 | 第52页 |
2.3 结果与讨论 | 第52-64页 |
2.3.1 Nu-6(1)层间插硅 | 第52-57页 |
2.3.2 红外和核磁表征层间插硅 | 第57-61页 |
2.3.3 结构分析 | 第61-63页 |
2.3.4 IEZ-Nu-6(2)的催化表征 | 第63-64页 |
2.4 结论 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-69页 |
第三章 PREFER层间扩孔结构修饰及其结构表征 | 第69-98页 |
3.1 前言 | 第69-70页 |
3.2 实验部分 | 第70-77页 |
3.2.1 分子筛层状前驱体PREFER合成 | 第70-71页 |
3.2.2 PREFER层间插硅柱撑 | 第71-72页 |
3.2.3 表征方法 | 第72-77页 |
3.3 结果与讨论 | 第77-92页 |
3.3.1 IEZ-FER(D4h)合成条件的考察 | 第77-79页 |
3.3.2 IEZ-FER(D4h)的XRD表征 | 第79-81页 |
3.3.3 固体核磁、红外、紫外拉曼表征PREFER的层间插硅 | 第81-86页 |
3.3.4 结构解析 | 第86-89页 |
3.3.5 热稳定性 | 第89-90页 |
3.3.6 IEZ-FER(D4h)的蒸汽吸附 | 第90-92页 |
3.4 结论 | 第92-93页 |
参考文献 | 第93-98页 |
第四章 含有多级孔道的分子筛纳米片的合成及其表征 | 第98-128页 |
4.1 前言 | 第98-99页 |
4.2 实验部分 | 第99-101页 |
4.2.1 分子筛纳米片模板剂的合成 | 第99页 |
4.2.2 分子筛纳米片ECNU-9/ECNU-9-AI的合成 | 第99-100页 |
4.2.3 分子筛IM-20的合成 | 第100-101页 |
4.2.4 分子筛纳米片ECNU-9的加固 | 第101页 |
4.2.5 表征方法 | 第101页 |
4.3 结果与讨论 | 第101-118页 |
4.3.1 ECNU-9的性质 | 第101-107页 |
4.3.2 ECNU-9-SS与ECNU-9-AI的性质 | 第107-108页 |
4.3.3 确定ECNU-9的结构 | 第108-112页 |
4.3.4 ECNU-9的形成机理研究 | 第112-117页 |
4.3.5 普适性 | 第117-118页 |
4.4 结论 | 第118-125页 |
参考文献 | 第125-128页 |
第五章 硅锗分子筛IM-20(UWY)的结构改性与表征 | 第128-145页 |
5.1 前言 | 第128-129页 |
5.2 实验部分 | 第129-132页 |
5.2.1 硅锗分子筛IM-20的制备 | 第129页 |
5.2.2 硅锗分子筛IM-20的后处理 | 第129页 |
5.2.3 表征手段 | 第129-132页 |
5.3 结果与讨论 | 第132-142页 |
5.4 结论 | 第142-143页 |
参考文献 | 第143-145页 |
总结 | 第145-147页 |
科研成果 | 第147-149页 |
致谢 | 第149页 |