175Hf半衰期的测量
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第10-28页 |
| 1.1 Hf同位素构成 | 第10-12页 |
| 1.2~(175)Hf半衰期测量现状 | 第12-14页 |
| 1.3 半衰期测量仪器 | 第14-17页 |
| 1.3.1 HPGe γ 谱仪 | 第16页 |
| 1.3.2 高气压电离室（4π-γ） | 第16-17页 |
| 1.4~(175)Hf放射源的制备现状 | 第17-20页 |
| 1.5 半衰期测量方法 | 第20-28页 |
| 1.5.1 半衰期测量原理 | 第20-21页 |
| 1.5.2 可跟踪测量核素的半衰期测量 | 第21-25页 |
| 1.5.3 不可跟踪测量核素的半衰期测量 | 第25-28页 |
| 第2章 HPGe半衰期测量中存在的问题 | 第28-50页 |
| 2.1 统计误差 | 第28-35页 |
| 2.1.1 半衰期的跟踪测量问题 | 第31-35页 |
| 2.2 死时间问题 | 第35-42页 |
| 2.2.1 强源干扰法实验及其对半衰期的影响分析 | 第37-39页 |
| 2.2.2 逐点增加处理半衰期 | 第39-41页 |
| 2.2.3 177Lu对181Hf的干扰实验设想 | 第41-42页 |
| 2.3 含有干扰源的半衰期测量 | 第42-46页 |
| 2.3.1 181Hf半衰期 | 第43-44页 |
| 2.3.2 177Lu半衰期测量 | 第44-46页 |
| 2.4 线性拟合的自由度与不确定度 | 第46-48页 |
| 2.5 监督源的使用 | 第48-49页 |
| 2.6 章节 | 第49-50页 |
| 第3章 ~(175)Hf测量源制备及纯化 | 第50-60页 |
| 3.1 试剂与仪器 | 第50-51页 |
| 3.2 沉淀法 | 第51-52页 |
| 3.3 离子交换法 | 第52-55页 |
| 3.3.1 Dowex阴离子树脂交换 | 第52-53页 |
| 3.3.2 HDEHP萃淋树脂交换 | 第53-55页 |
| 3.4 离子溅射制靶 | 第55-56页 |
| 3.5 放化分离及结果 | 第56-58页 |
| 3.6 章节 | 第58-60页 |
| 第4章 ~(175)Hf半衰期测量 | 第60-70页 |
| 4.1 测量仪器 | 第60页 |
| 4.2 半衰期测量 | 第60-65页 |
| 4.2.1 数据处理及线性拟合 | 第61-63页 |
| 4.2.2 不确定度分析与讨论 | 第63-65页 |
| 4.3 全谱面积法测量半衰期 | 第65-68页 |
| 4.3.1 线性拟合 | 第66-67页 |
| 4.3.2 不确定度分析 | 第67-68页 |
| 4.4 章节 | 第68-70页 |
| 第5章 结论 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 附表A1 | 第78-80页 |
| 附表A2 | 第80-81页 |
| 附表A3 | 第81页 |
| 附表A4 | 第81-83页 |
