| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 氮化物半导体的发展史 | 第10-13页 |
| 1.2 氮化物电子器件简介 | 第13-14页 |
| 1.3 氮化物的基本性质 | 第14-16页 |
| 1.4 AlGaN/GaN与InAlN/GaN异质结构 | 第16-18页 |
| 1.5 本文研究意义和内容安排 | 第18-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 InAlN/GaN异质结外延生长和材料表征 | 第22-40页 |
| 2.1 氮化物材料的外延生长技术 | 第22-23页 |
| 2.2 GaN外延衬底的选择 | 第23-25页 |
| 2.3 InAlN/GaN异质结的外延生长 | 第25页 |
| 2.4 InAlN/GaN异质结样品结构 | 第25-27页 |
| 2.5 InAlN/GaN异质结器件的表征 | 第27-38页 |
| 2.5.1 X射线光电子能谱(XPS)表征介绍 | 第27-29页 |
| 2.5.2 InAlN样品的XPS能谱分析 | 第29-30页 |
| 2.5.3 肖特基结的C-V特性 | 第30-32页 |
| 2.5.4 C-V方法测量样品载流子浓度与深度的关系 | 第32-35页 |
| 2.5.5 Vander Pauw Hall测试简介 | 第35-36页 |
| 2.5.6 InAlN/GaN异质结样品的变温Hall测试 | 第36-38页 |
| 2.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-40页 |
| 第三章 InAlN/GaN肖特基二极管正向电流传输机制 | 第40-53页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 InAlN/GaN肖特基二极管的工艺制作 | 第40-42页 |
| 3.3 Ni/Au InAlN/GaN肖特基二极管正向电流传输模型 | 第42-47页 |
| 3.3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.3.2 热电子发射模型 | 第43-45页 |
| 3.3.3 隧穿模型 | 第45-46页 |
| 3.3.4 产生-复合模型 | 第46-47页 |
| 3.4 拟合法计算肖特基势垒高度 | 第47-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第四章 InAlN/GaN肖特基二极管反向电流传输特性 | 第53-57页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 Frenkel-Poole发射引起的反向漏电流 | 第53-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 主要结论 | 第57-58页 |
| 5.2 研究展望 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
