| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 拓扑绝缘体 | 第8-12页 |
| 1.1.1 拓扑绝缘体的介绍 | 第8-9页 |
| 1.1.2 二维拓扑绝缘体 | 第9-10页 |
| 1.1.3 三维拓扑绝缘体 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状及发展动态分析 | 第12-16页 |
| 1.2.1 高质量Bi_2Se_3样品的制备 | 第12-14页 |
| 1.2.2 Bi_2Se_3拓扑绝缘体表面态输运性质的研究 | 第14-16页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容及安排 | 第16-17页 |
| 第2章 Bi_2Se_3纳米结构、器件的制备工艺及测试条件 | 第17-25页 |
| 2.1 化学气相沉积系统介绍 | 第17-18页 |
| 2.1.1 化学气相沉积技术的基本原理 | 第17-18页 |
| 2.1.2 气相沉积技术的基本特点 | 第18页 |
| 2.2 拓扑绝缘体纳米材料表征仪器介绍 | 第18-20页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD） | 第18-19页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜及EDX | 第19-20页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第20页 |
| 2.3 纳米器件制备仪器的介绍 | 第20-21页 |
| 2.4 低温磁输运测量系统 | 第21-24页 |
| 2.4.1 磁输运测量基本方法 | 第21页 |
| 2.4.2 常规磁输运测试系统介绍 | 第21-23页 |
| 2.4.3 磁输运工作模式 | 第23-24页 |
| 2.5 小结 | 第24-25页 |
| 第3章 Bi_2Se_3纳米结构的可控生长和结构表征 | 第25-35页 |
| 3.1 Bi_2Se_3拓扑绝缘体基本结构 | 第26页 |
| 3.2 Bi_2Se_3纳米线的可控生长及结构表征 | 第26-31页 |
| 3.2.1 温度对纳米结构生长的影响 | 第27-28页 |
| 3.2.2 载气流量对纳米结构生长的影响 | 第28-29页 |
| 3.2.3 Bi_2Se_3纳米线的结构表征 | 第29-31页 |
| 3.3 Bi_2Se_3纳米片的制备与性能研究 | 第31-34页 |
| 3.3.1 Bi_2Se_3纳米片可控生长 | 第31-33页 |
| 3.3.2 Bi_2Se_3纳米片器件的制备及电学性能测试 | 第33-34页 |
| 3.4 小结 | 第34-35页 |
| 第4章 Bi_2Se_3拓扑绝缘体纳米线器件的制备及表面态输运性质研究 | 第35-49页 |
| 4.1 磁输运基本原理 | 第35-41页 |
| 4.1.1 弱局域和反弱局域效应 | 第35-36页 |
| 4.1.2 扩散输运模型 | 第36-39页 |
| 4.1.3 弹道输运模型 | 第39-41页 |
| 4.2 Bi_2(Se_(1-x)Te_x)_3 纳米线的生长和结构表征 | 第41-43页 |
| 4.3 Bi_2(Se_(1-x)Te_x)_3 纳米电子器件的制备 | 第43-44页 |
| 4.4 Bi_2(Se_(1-x)Te_x)_3 纳米器件磁输运测试的结果讨论 | 第44-48页 |
| 4.5 小结 | 第48-49页 |
| 第5章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 总结 | 第49-50页 |
| 5.2 展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 附录 | 第57页 |
