| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 原子级薄二维层状材料 | 第8-11页 |
| 1.1.1 石墨烯 | 第8-9页 |
| 1.1.2 过渡金属硫族化合物 | 第9-10页 |
| 1.1.3 黑磷烯 | 第10-11页 |
| 1.1.4 六角氮化硼 | 第11页 |
| 1.2 自旋-轨道耦合效应 | 第11页 |
| 1.3 二维半导体异质结构的研究现状 | 第11-15页 |
| 1.3.1 WS_2/MoS_2垂直和平面内异质结构 | 第11-13页 |
| 1.3.2 石墨烯与WS_2的量子自旋霍尔态 | 第13-14页 |
| 1.3.3 石墨烯/黑磷烯范德瓦尔斯异质结构 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的研究意义及内容 | 第15-17页 |
| 1.4.1 研究意义 | 第15-16页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 基础理论 | 第17-21页 |
| 2.1 第一性原理 | 第17页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第17-21页 |
| 2.2.1 Thomas-Fermi-Dirac理论 | 第17-18页 |
| 2.2.2 Hohenberg-Kohn理论 | 第18-19页 |
| 2.2.3 Kohn-Sham方程 | 第19-20页 |
| 2.2.4 交换关联泛函 | 第20-21页 |
| 第三章 h-BN/石墨烯、MoS_2/石墨烯、h-BN/黑磷烯异质结构的电子结构 | 第21-26页 |
| 3.1 计算方法和模型 | 第21-22页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第22-25页 |
| 3.3 本章结论 | 第25-26页 |
| 第四章 XT_2/黑磷烯 (X = Mo、W；T = S、Se、Te) 异质结构的电子结构 | 第26-35页 |
| 4.1 计算方法和模型 | 第26-27页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第27-34页 |
| 4.3 本章结论 | 第34-35页 |
| 第五章 电场调节MoX_2/WX_2 (X = S、Se、Te) 异质结构的自旋劈裂 | 第35-46页 |
| 5.1 计算方法和模型 | 第35-36页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第36-45页 |
| 5.3 本章结论 | 第45-46页 |
| 第六章 结论与展望 | 第46-48页 |
| 6.1 本文的主要结论 | 第46页 |
| 6.2 主要创新点 | 第46-47页 |
| 6.3 后续研究工作的展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
