| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 氧化镓的性质及应用 | 第10-12页 |
| 1.2.1 光学特性 | 第11页 |
| 1.2.2 气敏特性 | 第11-12页 |
| 1.2.3 催化特性 | 第12页 |
| 1.3 氧化镓纳米柱状结构的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.1 氧化镓纳米管 | 第12-13页 |
| 1.3.2 氧化镓纳米同轴电缆 | 第13-14页 |
| 1.3.3 氧化镓纳米棒 | 第14页 |
| 1.4 本论文的选题依据及内容 | 第14-17页 |
| 第二章 氧化镓纳米材料的制备方法、表征手段及生长机理 | 第17-25页 |
| 2.1 制备方法 | 第17-19页 |
| 2.1.1 热蒸发法 | 第17页 |
| 2.1.2 金属有机化学气相沉积法(MOCVD) | 第17-18页 |
| 2.1.3 激光烧蚀法 | 第18页 |
| 2.1.4 水热法 | 第18页 |
| 2.1.5 气相外延法 | 第18-19页 |
| 2.2 表征手段 | 第19-23页 |
| 2.2.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第19-20页 |
| 2.2.2 透射电子显微镜(TEM) | 第20页 |
| 2.2.3 X射线衍射(XRD) | 第20-21页 |
| 2.2.4 拉曼光谱(RS) | 第21页 |
| 2.2.5 红外吸收(IR) | 第21-22页 |
| 2.2.6 光致发光(PL) | 第22-23页 |
| 2.3 生长机理 | 第23-25页 |
| 2.3.1 VLS生长机理 | 第23页 |
| 2.3.2 VS生长机理 | 第23页 |
| 2.3.3 氧化物辅助生长(OAG)机理 | 第23-25页 |
| 第三章 氧化镓纳米棒的制备及其结构表征 | 第25-33页 |
| 3.1 氧化镓纳米棒的制备 | 第25-27页 |
| 3.1.1 实验设备 | 第25页 |
| 3.1.2 实验材料和实验原理 | 第25-26页 |
| 3.1.3 实验过程 | 第26-27页 |
| 3.2 氧化镓纳米棒的结构表征 | 第27-32页 |
| 3.2.1 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第27-30页 |
| 3.2.2 透射电子显微镜(TEM)分析 | 第30-31页 |
| 3.2.3 X射线衍射(XRD)分析 | 第31页 |
| 3.2.4 拉曼散射光谱 | 第31-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 Ga_2O_3-SiO_x纳米同轴电缆的制备及其结构表征 | 第33-43页 |
| 4.1 Ga_2O_3-SiO_x纳米同轴电缆的制备 | 第33-34页 |
| 4.1.1 实验设备 | 第33页 |
| 4.1.2 实验材料和实验原理 | 第33页 |
| 4.1.3 实验过程 | 第33-34页 |
| 4.2 Ga_2O_3-SiO_x纳米同轴电缆的结构表征 | 第34-42页 |
| 4.2.1 扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第34-39页 |
| 4.2.2 X射线衍射(XRD)分析 | 第39-40页 |
| 4.2.3 透射电子显微镜(TEM)分析 | 第40-42页 |
| 4.2.4 拉曼散射分析 | 第42页 |
| 4.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 氧化镓纳米柱状结构的生长机理 | 第43-45页 |
| 5.1 氧化镓纳米棒的生长机理 | 第43页 |
| 5.2 Ga_2O_3-SiO_x纳米同轴电缆的生长机理 | 第43-44页 |
| 5.3 本章小节 | 第44-45页 |
| 第六章 全文总结 | 第45-47页 |
| 6.1 本论文主要研究成果 | 第45页 |
| 6.2 实验不足及对今后工作的建议 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-53页 |
| 攻读硕士学位期间发表的文章 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
