| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 阻变存储器 | 第10-14页 |
| 1.2.1 RRAM简介 | 第10-12页 |
| 1.2.2 RRAM的性能参数 | 第12页 |
| 1.2.3 RRAM的阻变机理 | 第12-14页 |
| 1.3 TaO_x基阻变存储器研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 器件的构建及性能测试表征 | 第17-24页 |
| 2.1 本论文中的器件结构及制备流程 | 第17页 |
| 2.2 薄膜的制备 | 第17-20页 |
| 2.2.1 磁控溅射 | 第18页 |
| 2.2.2 离子束溅射 | 第18-19页 |
| 2.2.3 电子束蒸发 | 第19页 |
| 2.2.4 快速热处理 | 第19-20页 |
| 2.3 薄膜微结构表征及器件电学性能测试 | 第20-24页 |
| 2.3.1 原子力显微镜 | 第20页 |
| 2.3.2 椭圆偏振光谱仪 | 第20-21页 |
| 2.3.3 扫描电镜 | 第21页 |
| 2.3.4 X射线衍射仪 | 第21-22页 |
| 2.3.5 半导体参数分析仪 | 第22页 |
| 2.3.6 探针台 | 第22-24页 |
| 第三章 单层氧化钽基RRAM器件的构建与研究 | 第24-42页 |
| 3.1 器件结构及制备工艺 | 第24-25页 |
| 3.2 不同氧氩比对TaO_x微观结构性能的影响 | 第25-28页 |
| 3.3 不同氧氩比对TaO_x阻变性能的影响 | 第28-29页 |
| 3.4 不同顶电极对TaO_x阻变性能的影响 | 第29-38页 |
| 3.4.1 Cu/TaO_x/TiN结构RRAM器件的研究 | 第30-33页 |
| 3.4.2 Ni/TaO_x/TiN结构RRAM器件的研究 | 第33-38页 |
| 3.5 基于蒙特卡罗方法的模拟仿真 | 第38-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 叠层氧化钽基RRAM器件的构建与研究 | 第42-61页 |
| 4.1 器件结构及制备工艺 | 第42-43页 |
| 4.2 W/TaO_x/Ta_2O_5/TiN结构RRAM器件 | 第43-53页 |
| 4.2.1 不同TaO_x厚度的TaO_x/Ta_2O_5叠层结构器件的研究 | 第43-44页 |
| 4.2.2 W/TaO_x/Ta_2O_5/TiN器件的电学特性 | 第44-49页 |
| 4.2.3 W/TaO_x/Ta_2O_5/TiN器件的机理分析 | 第49-53页 |
| 4.3 Cu/TaO_x/AlO_x/TiN结构RRAM器件 | 第53-59页 |
| 4.3.1 不同厚度AlO_x插入层对器件性能的影响 | 第54-56页 |
| 4.3.2 Cu/TaO_x/AlO_x/TiN结构器件的机理分析 | 第56-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 全文总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
