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降温法生长三苯基苯晶体及其性能研究

中文摘要第2-3页
Abstract第3页
中文文摘第4-9页
绪论第9-21页
    0.1 研究背景及意义第9-10页
    0.2 中子基本情况第10-11页
        0.2.1 核反应法第10页
        0.2.2 核反冲法第10-11页
    0.3 闪烁探测器简介第11-19页
        0.3.1 闪烁材料性能要求第12-13页
        0.3.2 闪烁体的分类第13-19页
            0.3.2.1 无机闪烁体第13-16页
            0.3.2.2 有机闪烁体第16-19页
    0.4 本文研究思路及内容第19-21页
        0.4.1 研究思路第19页
        0.4.2 研究内容第19-21页
第一章 实验原理与方法第21-27页
    1.1 晶体生长的结晶学基础第21页
    1.2 溶液法晶体生长的原理第21-22页
    1.3 溶液晶体生长法分类第22-24页
    1.4 脉冲形状甄别(PSD)第24-26页
    1.5 FOM值计算第26-27页
第二章 溶剂选择与原料重结晶第27-37页
    2.1 生长溶剂的选择第27-34页
        2.1.1 常见溶剂的性质第27-28页
        2.1.2 主要实验原料第28-29页
        2.1.3 溶解结晶实验第29-32页
        2.1.4 空气对溶液的影响第32-34页
    2.2 原料重结晶第34-35页
    2.3 本章小结第35-37页
第三章 有机溶剂降温法晶体生长第37-51页
    3.1 晶体生长装置第37-38页
    3.2 饱和点测定方法第38-39页
    3.3 对二甲苯溶剂中晶体生长第39-45页
        3.3.1 溶解度曲线测定第39-40页
        3.3.2 籽晶的挑选与处理第40-41页
        3.3.3 饱和溶液的配制第41-42页
        3.3.4 低过饱和度低降温速率晶体生长第42-43页
        3.3.5 生长工艺改进第43-45页
    3.4 丙酮溶剂中晶体生长第45-47页
    3.5 甲苯溶剂中晶体生长第47-48页
    3.6 本章小结第48-51页
第四章 晶体表面缺陷观察第51-59页
    4.1 晶体生长形貌测定第51-52页
    4.2 化学刻蚀法和光学显微观察第52-58页
        4.2.1 包裹体第53-55页
        4.2.2 位错第55-56页
        4.2.3 晶面花纹第56-58页
    4.3 本章小结第58-59页
第五章 1,3,5-三苯基苯晶体结构及性能分析第59-69页
    5.1 晶体的结构分析第59-60页
    5.2 晶体的综合热分析第60-62页
    5.3 晶体的荧光性能第62-63页
    5.4 晶体的脉冲形状甄别(PSD)性能第63-67页
    5.5 本章小结第67-69页
第六章 结论第69-73页
    6.1 本文主要结论第69-71页
    6.2 下一步工作建议第71-73页
参考文献第73-79页
攻读学位期间承担的科研任务与主要成果第79-81页
致谢第81-83页
个人简历第83-84页

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