降温法生长三苯基苯晶体及其性能研究
中文摘要 | 第2-3页 |
Abstract | 第3页 |
中文文摘 | 第4-9页 |
绪论 | 第9-21页 |
0.1 研究背景及意义 | 第9-10页 |
0.2 中子基本情况 | 第10-11页 |
0.2.1 核反应法 | 第10页 |
0.2.2 核反冲法 | 第10-11页 |
0.3 闪烁探测器简介 | 第11-19页 |
0.3.1 闪烁材料性能要求 | 第12-13页 |
0.3.2 闪烁体的分类 | 第13-19页 |
0.3.2.1 无机闪烁体 | 第13-16页 |
0.3.2.2 有机闪烁体 | 第16-19页 |
0.4 本文研究思路及内容 | 第19-21页 |
0.4.1 研究思路 | 第19页 |
0.4.2 研究内容 | 第19-21页 |
第一章 实验原理与方法 | 第21-27页 |
1.1 晶体生长的结晶学基础 | 第21页 |
1.2 溶液法晶体生长的原理 | 第21-22页 |
1.3 溶液晶体生长法分类 | 第22-24页 |
1.4 脉冲形状甄别(PSD) | 第24-26页 |
1.5 FOM值计算 | 第26-27页 |
第二章 溶剂选择与原料重结晶 | 第27-37页 |
2.1 生长溶剂的选择 | 第27-34页 |
2.1.1 常见溶剂的性质 | 第27-28页 |
2.1.2 主要实验原料 | 第28-29页 |
2.1.3 溶解结晶实验 | 第29-32页 |
2.1.4 空气对溶液的影响 | 第32-34页 |
2.2 原料重结晶 | 第34-35页 |
2.3 本章小结 | 第35-37页 |
第三章 有机溶剂降温法晶体生长 | 第37-51页 |
3.1 晶体生长装置 | 第37-38页 |
3.2 饱和点测定方法 | 第38-39页 |
3.3 对二甲苯溶剂中晶体生长 | 第39-45页 |
3.3.1 溶解度曲线测定 | 第39-40页 |
3.3.2 籽晶的挑选与处理 | 第40-41页 |
3.3.3 饱和溶液的配制 | 第41-42页 |
3.3.4 低过饱和度低降温速率晶体生长 | 第42-43页 |
3.3.5 生长工艺改进 | 第43-45页 |
3.4 丙酮溶剂中晶体生长 | 第45-47页 |
3.5 甲苯溶剂中晶体生长 | 第47-48页 |
3.6 本章小结 | 第48-51页 |
第四章 晶体表面缺陷观察 | 第51-59页 |
4.1 晶体生长形貌测定 | 第51-52页 |
4.2 化学刻蚀法和光学显微观察 | 第52-58页 |
4.2.1 包裹体 | 第53-55页 |
4.2.2 位错 | 第55-56页 |
4.2.3 晶面花纹 | 第56-58页 |
4.3 本章小结 | 第58-59页 |
第五章 1,3,5-三苯基苯晶体结构及性能分析 | 第59-69页 |
5.1 晶体的结构分析 | 第59-60页 |
5.2 晶体的综合热分析 | 第60-62页 |
5.3 晶体的荧光性能 | 第62-63页 |
5.4 晶体的脉冲形状甄别(PSD)性能 | 第63-67页 |
5.5 本章小结 | 第67-69页 |
第六章 结论 | 第69-73页 |
6.1 本文主要结论 | 第69-71页 |
6.2 下一步工作建议 | 第71-73页 |
参考文献 | 第73-79页 |
攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第79-81页 |
致谢 | 第81-83页 |
个人简历 | 第83-84页 |