| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章：绪论 | 第10-22页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·石墨烯/半导体肖特基结的研究现状 | 第11-18页 |
| ·石墨烯/半导体肖特基结应用于光电探测器的研究现状 | 第18-20页 |
| ·本文主要研究内容 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-22页 |
| 第二章：肖特基光电探测器的基本原理与特性分析 | 第22-50页 |
| ·金属/半导体肖特基结 | 第22-33页 |
| ·金属/半导体肖特基结参数计算 | 第22-26页 |
| ·金属/半导体肖特基结I-V特性 | 第26-30页 |
| ·金属/半导体肖特基二极管光电响应特性 | 第30-32页 |
| ·光电探测器参数 | 第32-33页 |
| ·石墨烯/半导体肖特基结 | 第33-48页 |
| ·石墨烯 | 第33-39页 |
| ·石墨烯/半导体（G/S）肖特基结 | 第39-46页 |
| ·石墨烯/半导体肖特基结光电特性 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第三章：基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基器件的制备 | 第50-54页 |
| ·InAs/GaAs量子点衬底的制备 | 第50-51页 |
| ·器件结构及制备流程 | 第51页 |
| ·工艺参数 | 第51-53页 |
| ·、GaAs的腐蚀 | 第52页 |
| ·、欧姆接触的制备 | 第52页 |
| ·、氧化铝的生长与腐蚀 | 第52-53页 |
| ·、石墨烯的转移 | 第53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章：结果与分析 | 第54-62页 |
| ·暗电流特性 | 第54-57页 |
| ·光电流响应 | 第57-60页 |
| ·光谱响应 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章：总结与展望 | 第62-64页 |
| ·总结 | 第62页 |
| ·展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第68页 |