| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| ·热电材料简介 | 第9-11页 |
| ·Seebeck效应 | 第10页 |
| ·泊耳帖（Peltire）效应 | 第10-11页 |
| ·汤姆逊（Thomson）效应 | 第11页 |
| ·主要的热电材料 | 第11-13页 |
| ·半导体合金 | 第11-12页 |
| ·填充Skutterudite化合物 | 第12页 |
| ·电子晶体-声子玻璃（PGEC）热电材料 | 第12-13页 |
| ·Half-Heusler合金 | 第13页 |
| ·氧化物热电材料 | 第13页 |
| ·热电材料的应用 | 第13-15页 |
| ·提高热电材料性能的主要方法 | 第15-17页 |
| ·纳米结构 | 第15页 |
| ·降低维度 | 第15-16页 |
| ·制作功能梯度材料 | 第16-17页 |
| ·本课题的研究目的及意义 | 第17-18页 |
| 第2章 实验内容与方法 | 第18-24页 |
| ·实验材料 | 第18页 |
| ·薄膜制备设备 | 第18-21页 |
| ·磁控溅射的基本原理及特点 | 第18-19页 |
| ·磁控溅射优缺点 | 第19-20页 |
| ·镀膜过程 | 第20-21页 |
| ·真空退火处理 | 第21页 |
| ·薄膜的显微结构表征 | 第21页 |
| ·薄膜的表面形貌和化学成分 | 第21页 |
| ·薄膜的相组成及晶体结构 | 第21页 |
| ·薄膜室温导电性能测量 | 第21-23页 |
| ·沉积薄膜Seebeck系数和电阻率的测量 | 第23-24页 |
| 第3章 实验结果与分析 | 第24-54页 |
| ·CrSi_2薄膜的制备工艺、微观结构及性能 | 第24-33页 |
| ·不同Ti含量的CrSi_2沉积薄膜的表面形貌和能谱 | 第24-26页 |
| ·不同Ti含量的CrSi_2沉积薄膜的X射线衍射谱 | 第26-28页 |
| ·不同Ti掺杂量的(Cr,Ti)Si_2薄膜的室温霍尔系数和载流子浓度 | 第28-29页 |
| ·不同Ti掺杂量的(Cr,Ti)Si_2薄膜的室温电导率和空穴载流子迁移率 | 第29-31页 |
| ·不同Ti掺杂量的(Cr,Ti)Si_2薄膜的热电性能 | 第31-33页 |
| ·Mg_2Si薄膜的制备工艺、微观结构和热电性能 | 第33-51页 |
| ·不同Mg靶功率下薄膜的组织结构 | 第33-35页 |
| ·不同偏压下沉积薄膜的微观结构和热电性能 | 第35-38页 |
| ·不同Al掺杂量下Mg_2Si薄膜的微观结构 | 第38-41页 |
| ·沉积Mg_2Si薄膜的热电性能 | 第41-51页 |
| ·实验结果讨论 | 第51-54页 |
| 第4章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-58页 |
| 在学研究成果 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
