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纳米级工艺VLSI芯片低功耗物理设计研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-13页
   ·低功耗设计所面临的挑战第10页
   ·低功耗设计国内外研究现状和发展趋势第10-11页
   ·低功耗设计研究的目的和意义第11-13页
第二章 功耗的组成和原理分析第13-19页
   ·功耗分析的理论基础第13页
   ·静态功耗的组成第13-16页
     ·反向偏置的二极管所产生的泄漏电流第13-14页
     ·亚阈值泄漏所产生的泄漏电流第14-15页
     ·栅极感应漏极泄漏电流第15页
     ·栅极的泄漏电流第15页
     ·静态功耗分析第15-16页
   ·动态功耗的组成第16-18页
     ·动态开关功耗第16-17页
     ·短路功耗第17-18页
   ·功耗分析的模型第18-19页
第三章 低功耗物理设计的方法和对库文件的要求第19-32页
   ·工艺级低功耗技术第19-20页
   ·电路级低功耗技术第20-22页
     ·多电源电压技术第20-21页
     ·多电源电压技术的要求和影响第21-22页
   ·门级低功耗技术第22-24页
     ·门级电路的功耗优化第22页
     ·多阈值电压变换低功耗技术第22-23页
     ·多阈值电压技术设计流程第23-24页
     ·多阈值电压技术设计注意点第24页
   ·系统级低功耗技术第24-25页
     ·门控电源技术第24-25页
   ·低功耗物理设计中单元库的要求第25-32页
     ·带电源信息的库第25页
     ·多阂值电压的器件第25-26页
     ·电平转换器单元(Level Shifter)第26-27页
     ·隔离单元(Isolation Cell)第27-28页
     ·电源开关单元(Power Switch Cells)第28-29页
     ·保持寄存器单元(Retention Register Cells)第29-30页
     ·常开逻辑单元(Always-On Logic Cells)第30-32页
第四章 基于Golden UPF的低功耗物理设计流程第32-43页
   ·低功耗UPF标准概述第32页
   ·基于Golden UPF的流程及其优点第32-33页
   ·基于Golden UPF的低功耗物理设计流程第33-43页
     ·低功耗布局规划(Floorplan)第35-37页
     ·低功耗布局(Placement)第37-38页
     ·低功耗时钟树综合(CTS)第38-39页
     ·低功耗布线(Route)第39-42页
     ·物理验证PV(DRC&LVS)第42-43页
第五章 低功耗物理技术的具体实现第43-52页
   ·多电源电压低功耗技术的实现第43-47页
     ·读入数据第43页
     ·布局规划(Floorplan)第43-45页
     ·标准单元的布局(Placement)第45-46页
     ·时钟树综合和布线(CTS&Route)第46-47页
   ·门控电源低功耗技术的实现第47-52页
     ·电源开关单元的插入第48-49页
     ·隔离单元的插入第49-52页
第六章 模块功耗分析第52-56页
   ·模块功耗分析第52-53页
   ·电压降和电迁移分析第53-56页
第七章 总结与展望第56-57页
致谢第57-58页
参考文献第58-61页
附录第61页

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