| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| ·同轴纳米电缆的研究背景 | 第11-20页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·同轴纳米电缆简介 | 第12页 |
| ·同轴纳米电缆的制备方法 | 第12-14页 |
| ·各种制备方法特点比较分析 | 第14-15页 |
| ·AAO模板法合成同轴纳米电缆的机理 | 第15-19页 |
| ·同轴纳米电缆材料的应用 | 第19-20页 |
| ·表面增强拉曼光谱的发展 | 第20-23页 |
| ·表面增强拉曼散射发展简史 | 第20-21页 |
| ·SERS效应的特点 | 第21页 |
| ·SERS活性基底的制备方法 | 第21-23页 |
| ·SERS活性基底在生命科学中的应用 | 第23页 |
| ·课题意义、研究目的及内容 | 第23-26页 |
| 2 阳极氧化铝模板的制备及工艺优化 | 第26-40页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·多孔氧化铝的结构特征 | 第26-27页 |
| ·铝的阳极氧化原理 | 第27-28页 |
| ·多孔阳极氧化铝的形成机理 | 第28-29页 |
| ·有序多孔阳极氧化铝模板的制备工艺 | 第29-33页 |
| ·铝箔的预处理过程 | 第30-31页 |
| ·阳极氧化过程 | 第31-32页 |
| ·后处理过程 | 第32-33页 |
| ·AAO制备工艺条件探索 | 第33-39页 |
| ·改变电解液优化制备条件 | 第34-35页 |
| ·改变第一次氧化时间优化制备条件 | 第35-37页 |
| ·改变第二次氧化电压优化制备条件 | 第37-39页 |
| ·结论 | 第39-40页 |
| 3 电化学法制备一维金属纳米线及其表征 | 第40-51页 |
| ·金属纳米线的合成方法 | 第40页 |
| ·电化学模板法合成金属纳米线 | 第40页 |
| ·电化学模板法沉积铜纳米线 | 第40-45页 |
| ·Cu纳米线生长机理分析 | 第43-44页 |
| ·Cu纳米线生长速率探索 | 第44-45页 |
| ·电化学模板法沉积镍纳米线 | 第45-49页 |
| ·Ni纳米线生长机理分析 | 第48页 |
| ·Ni纳米线生长速率探索 | 第48-49页 |
| ·结论 | 第49-51页 |
| 4 Cu/Ni核壳纳米电缆的制备、表征及测试 | 第51-63页 |
| ·Cu/Ni核壳结构同轴纳米电缆的制备 | 第51-54页 |
| ·AAO模板的制备 | 第52-53页 |
| ·电化学沉积Cu纳米线 | 第53页 |
| ·对Cu/Al_2O_3复合结构扩孔 | 第53-54页 |
| ·电化学沉积环状Ni纳米层 | 第54页 |
| ·Cu/Ni核壳结构同轴纳米电缆的表征 | 第54-60页 |
| ·Cu/Ni核壳同轴纳米电缆的SEM表征 | 第54-55页 |
| ·Cu/Ni核壳同轴纳米电缆的EDS表征 | 第55-57页 |
| ·Cu/Ni核壳同轴纳米电缆的XRD表征 | 第57页 |
| ·Cu/Ni核壳同轴纳米电缆的AFM表征 | 第57-58页 |
| ·Cu/Ni核壳同轴纳米电缆的TEM表征 | 第58-60页 |
| ·Cu/Ni核壳纳米电缆的光吸收及光反射测试 | 第60-61页 |
| ·结论 | 第61-63页 |
| 5 Cu/Ni核壳纳米电缆的表面拉曼增强测试 | 第63-73页 |
| ·表面增强拉曼散射的机理简介 | 第63-64页 |
| ·电磁场增强(EM)理论 | 第63-64页 |
| ·化学增强(CT)理论 | 第64页 |
| ·Cu/Ni核壳纳米电缆阵列活性基底的制备 | 第64-65页 |
| ·Cu/Ni核壳纳米电缆阵列活性基底对腺嘌呤的探测 | 第65-71页 |
| ·CuNW、NiNW、Cu/Ni纳米阵列的SERS比较及分析 | 第65-68页 |
| ·Cu/Ni纳米阵列与腺嘌呤粉末的SERS比较及分析 | 第68-70页 |
| ·Cu/Ni纳米阵列探测低浓度腺嘌呤溶液得到的SERS效应 | 第70-71页 |
| ·结论 | 第71-73页 |
| 6 结论与展望 | 第73-76页 |
| ·结论 | 第73-74页 |
| ·展望 | 第74-76页 |
| 参考文献 | 第76-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第82页 |
