| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·半导体光催化简介 | 第10-18页 |
| ·半导体光催化的发展史 | 第10-12页 |
| ·半导体光催化的基本原理 | 第12-14页 |
| ·提高半导体光催化效率的途径 | 第14-16页 |
| ·影响半导体光催化效率的因素 | 第16-18页 |
| ·论文的选题背景，研究内容及意义 | 第18-20页 |
| ·选题背景 | 第18页 |
| ·研究主要内容 | 第18-19页 |
| ·选题意义 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-24页 |
| 第二章 锑酸锌的表面光电和可见光光催化性能的研究 | 第24-36页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·实验 | 第24-25页 |
| ·样品制备 | 第24-25页 |
| ·样品表征 | 第25页 |
| ·结果和讨论 | 第25-32页 |
| ·物相分析 | 第25-27页 |
| ·表面形貌 | 第27页 |
| ·光吸收特性 | 第27-29页 |
| ·表面光电压特性 | 第29页 |
| ·光降解活性 | 第29-31页 |
| ·稳定性 | 第31-32页 |
| ·结论 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-36页 |
| 第三章 Nb 元素掺杂量对 AgSbO_3表面光电和可见光光催化性能影响的研究 | 第36-48页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验 | 第37-38页 |
| ·样品制备 | 第37页 |
| ·样品表征 | 第37-38页 |
| ·结果和讨论 | 第38-44页 |
| ·物相分析 | 第38-39页 |
| ·光吸收特性 | 第39-40页 |
| ·表面形貌及 EDS 谱 | 第40-41页 |
| ·表面光电压特性 | 第41-42页 |
| ·光降解活性 | 第42-44页 |
| ·结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 第四章 过渡元素掺杂（Ti、V、Nb、Ta、W）对 AgSbO_3表面光电和可见光光催化性能影响的研究 | 第48-58页 |
| ·引言 | 第48-49页 |
| ·实验 | 第49-50页 |
| ·样品制备 | 第49页 |
| ·样品表征 | 第49-50页 |
| ·结果和讨论 | 第50-55页 |
| ·物相分析 | 第50-51页 |
| ·光吸收特性 | 第51-52页 |
| ·表面形貌及 EDS 谱 | 第52-54页 |
| ·光降解活性 | 第54-55页 |
| ·结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 硕士期间发表论文 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |