| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·RRAM 技术回顾 | 第11-13页 |
| ·RRAM 特点 | 第13-15页 |
| ·RRAM 单元器件的基本结构与性能参数 | 第13-14页 |
| ·RRAM 的阻变行为分类 | 第14-15页 |
| ·阻变机制分类 | 第15-23页 |
| ·静电/电子记忆效应 | 第17页 |
| ·电化学金属化记忆效应 | 第17-19页 |
| ·价态变化记忆效应 | 第19-21页 |
| ·热化学记忆效应 | 第21-22页 |
| ·相变存储记忆效应 | 第22-23页 |
| ·RRAM 中的导电机制 | 第23-25页 |
| ·RRAM 当前研究的不足之处 | 第25-27页 |
| ·本论文的研究意义和内容 | 第27-30页 |
| 参考文献 | 第30-35页 |
| 第二章 阻变存储单元器件的制备与电学性质测试 | 第35-49页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·阻变存储单元的制备 | 第35-41页 |
| ·薄膜淀积工艺简介 | 第36-37页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第37-39页 |
| ·溅射 | 第39-41页 |
| ·一种辅助制备薄膜电极的装置 | 第41-43页 |
| ·辅助制备薄膜电极装置的结构 | 第41-42页 |
| ·辅助制备薄膜电极装置的使用 | 第42-43页 |
| ·阻变存储单元的电学性质测试系统 | 第43-45页 |
| ·电学性质测试系统组成 | 第43-44页 |
| ·Keithley2400 简介 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 第三章 不同金属电极与 Nb:SrTiO_3单晶的接触研究 | 第49-63页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·金属与半导体接触及其能级 | 第49-51页 |
| ·金属与半导体的肖特基接触 | 第50-51页 |
| ·金属与半导体的欧姆接触 | 第51页 |
| ·金属电极与 Nb:SrTiO_3单晶的接触类型 | 第51-60页 |
| ·金属电极与 Nb:SrTiO_3单晶的肖特基接触 | 第51-54页 |
| ·金属电极与 Nb:SrTiO_3单晶的欧姆接触 | 第54-59页 |
| ·金属/Nb:SrTiO_3单晶接触的整流效应 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第四章 基于 In/ Nb:SrTiO_3结的正常和反常双极性电阻开关 | 第63-79页 |
| ·引言 | 第63-65页 |
| ·In/Nb:SrTiO_3/In 阻变存储单元的制备与测试 | 第65-66页 |
| ·In/Nb:SrTiO_3/In 阻变存储单元器件的电学特性 | 第66-71页 |
| ·金半接触类型对电阻开关的影响 | 第66-69页 |
| ·载流子浓度对电阻开关的影响 | 第69-70页 |
| ·In/Nb:SrTiO_3/In 器件电阻开关现象的循环和保持特性 | 第70-71页 |
| ·In/Nb:SrTiO_3/In 器件的电致阻变机制分析 | 第71-76页 |
| ·基于 In/Nb:SrTiO_3器件的正常双极性电阻开关机制 | 第72-74页 |
| ·基于 In/Nb:SrTiO_3器件的反常双极性电阻开关机制 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第五章 基于 Nb:SrTiO_3单晶的双极性多级平面阻变存储器 | 第79-93页 |
| ·引言 | 第79-80页 |
| ·平面阻变存储器 | 第80-81页 |
| ·平面阻变存储器的结构 | 第80页 |
| ·平面阻变存储器的制备工艺流程 | 第80-81页 |
| ·平面阻变存储器的具体制备方法 | 第81页 |
| ·In/Nb:SrTiO_3平面阻变存储器的多级存储效应 | 第81-88页 |
| ·In/Nb:SrTiO_3不同触发源引起多级阻变存现象 | 第82-88页 |
| ·In/Nb:SrTiO_3多级阻变存储器的电脉冲响应 | 第88页 |
| ·基于 In/Nb:SrTiO_3结的多级存储机制 | 第88-89页 |
| ·本章小结 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 第六章 In/Nb:SrTiO_3肖特基结不同阻态下光伏和 C-V 特性研究 | 第93-105页 |
| ·引言 | 第93-94页 |
| ·In/Nb:SrTiO_3肖特基结的光伏特性 | 第94-99页 |
| ·In/Nb:SrTiO_3肖特基结的光伏特性 | 第94-97页 |
| ·Au/Nb:SrTiO_3结和 Pt/Nb:SrTiO_3结电阻开关的肖特基势垒 | 第97-98页 |
| ·Metal/Nb:SrTiO_3结在电致阻变行为中的肖特基势垒变化模型 | 第98-99页 |
| ·In/Nb:SrTiO_3肖特基结的 C-V 特性 | 第99-101页 |
| ·In/Nb:SrTiO_3肖特基结的 C-V 特性 | 第99-100页 |
| ·基于 In/Nb:SrTiO_3肖特基结的阻变机制 | 第100-101页 |
| ·本章小结 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第七章 结论与展望 | 第105-109页 |
| ·结论 | 第105-106页 |
| ·本课题研究的创新点 | 第106-107页 |
| ·展望 | 第107-109页 |
| 硕士期间已发表和待发表的论文与专利 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
