| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-43页 |
| 1 无机质谱分析方法概述 | 第13-19页 |
| ·无机质谱分析方法基本原理 | 第13-14页 |
| ·无机质谱分析方法的发展 | 第14-15页 |
| ·无机质谱分析方法分类 | 第15-19页 |
| 2 多晶硅中痕量元素的研究进展 | 第19-27页 |
| ·原子光谱法(AES/AAS) | 第19-20页 |
| ·X射线荧光法(XRF) | 第20-21页 |
| ·二次离子质谱法(SIMS) | 第21-22页 |
| ·电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS) | 第22-24页 |
| ·辉光放电质谱(GD-MS) | 第24-27页 |
| 3 辉光放电质谱分析(GD-MS) | 第27-35页 |
| ·基本原理 | 第27-30页 |
| ·实验装置 | 第30-34页 |
| ·半定量及定量分析 | 第34-35页 |
| 4 本论文的目的和意义 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-43页 |
| 第二章 多晶硅中关键杂质元素的辉光放电质谱分析方法研究 | 第43-56页 |
| 摘要 | 第43页 |
| 1 引言 | 第43-45页 |
| 2 实验部分 | 第45-47页 |
| ·仪器 | 第45页 |
| ·样品及试剂 | 第45页 |
| ·样品制备及实验条件优化 | 第45-46页 |
| ·测定方法 | 第46-47页 |
| 3 结果与讨论 | 第47-53页 |
| ·质谱干扰 | 第47-48页 |
| ·放电稳定性及实验可重复性 | 第48-50页 |
| ·GD-MS分析杂质元素 | 第50-51页 |
| ·SIMS定量分析杂质元素 | 第51页 |
| ·RSF值计算 | 第51-52页 |
| ·影响RSF值的因素 | 第52-53页 |
| ·多晶硅中其它元素的分析 | 第53页 |
| 4 小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第三章 小尺寸金属样品的辉光放电质谱分析方法研究 | 第56-76页 |
| 摘要 | 第56页 |
| 1 引言 | 第56-58页 |
| 2 实验部分 | 第58-60页 |
| ·仪器 | 第58页 |
| ·样品及试剂 | 第58-59页 |
| ·样品制备及实验条件优化 | 第59页 |
| ·测定方法 | 第59-60页 |
| 3 结果与讨论 | 第60-72页 |
| ·质谱干扰 | 第60页 |
| ·放电稳定性及实验重复性 | 第60-66页 |
| ·检出限 | 第66-72页 |
| 4 小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 附录：硕士期间发表的论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |