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硫化镉敏化二氧化钛纳米管和表面凹陷钯纳米多面体的制备和性能研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
第一章 绪论第12-40页
 §1.1 引言第12页
 §1.2 二氧化钛纳米材料作为光阳极的光电化学电池研究第12-19页
  §1.2.1 引言第12-13页
  §1.2.2 选用二氧化钛作为光电化学太阳电池主要电极材料的原因第13-14页
  §1.2.3 光电化学太阳电池的结构组成,工作原理以及提高光电性能的方法第14-19页
 §1.3 钯纳米颗粒的可控合成以及电催化研究第19-27页
  §1.3.1 钯纳米颗粒可控合成研究现状第20-24页
  §1.3.2 钯纳米颗粒形貌对消光性能的影响第24-25页
  §1.3.3 钯纳米颗粒形貌对电催化性能的影响第25-27页
 §1.4 本论文的选题背景和主要研究内容第27-31页
  §1.4.1 利用电沉积技术一步法制备硫化镉颗粒敏化二氧化钛纳米管阵列及其光电化学性能测试第27-29页
  §1.4.2 表面凹陷的钯纳米多面体颗粒的可控制备和电催化性能测试第29-31页
 参考文献第31-40页
第二章 利用电沉积技术一步法制备CdS(Se,Te)颗粒敏化TiO_2纳米管阵列及其光电化学性能研究第40-62页
 §2.1 引言第40-47页
  §2.1.1 CdS(Se,Te)敏化TiO_2纳米管阵列的制备方法第40-46页
  §2.1.2 两种半导体共同敏化TiO_2纳米管对光电性能的影响第46-47页
 §2.2 实验药品与方法第47-48页
  §2.2.1 实验药品第47页
  §2.2.2 硫(硒,碲)化镉敏化二氧化钛纳米管阵列的制备第47-48页
  §2.2.3 表征方法和光电化学测试第48页
 §2.3 实验结果与讨论第48-58页
  §2.3.1 硫化镉敏化二氧化钛纳米管阵列的表征和生长机制第48-53页
  §2.3.2 硫化镉敏化二氧化钛纳米管阵列的光电化学性能第53-55页
  §2.3.3 硒化镉和碲化镉敏化二氧化钛纳米管阵列的表征和光电化学性能测试第55-58页
 §2.4 本章小结第58-60页
 参考文献第60-62页
第三章 一步法可控制备表面凹陷的钯纳米立方体、直角双锥体和五次孪晶晶纳米棒以及电催化性能研究第62-90页
 §3.1 引言:表面凹陷贵金属颗粒的研究现状第62-69页
 §3.2 实验药品与方法第69-70页
  §3.2.1 实验药品第69页
  A 3.2.2 表面凹陷钯纳米立方体的制备第69页
  §3.2.3 表面凹陷钯纳米双锥体和五次孪晶纳米棒的制备第69页
  §3.2.4 表征方法和电化学测试第69-70页
 §3.3 实验结果与讨论第70-87页
  A 3.3.1 表面凹陷的钯纳米立方体的表征第70-72页
  A 3.3.2 反应起始阶段,还原剂、表面活性剂和前驱物浓度对产物形貌的影响第72-75页
  §3.3.3 反应进行阶段,钯离子还原速度对产物形貌的影响第75-78页
  §3.3.4 表面凹陷的钯直角双椎体和五次孪晶纳米棒的表征第78-81页
  §3.3.5 钯纳米颗粒的电催化性能第81-87页
 §3.4 本章小结第87-88页
 参考文献第88-90页
第四章 籽晶诱导法制备表面凹陷的钯立方八面体以及电催化研究第90-110页
 §4.1 引言:籽晶诱导法生长贵金属(以钯为主)纳米颗粒研究进展第90-101页
 §4.2 实验药品与方法第101-102页
  §4.2.1 实验药品第101页
  §4.2.2 籽晶诱导生长表面凹陷立方八面体第101页
  §4.2.3 表征方法和光电化学测试第101-102页
 §4.3 实验结果与讨论第102-107页
  §4.3.1 表面凹陷立方八面体的表征和生长机制第102-103页
  §4.3.2 表面凹陷立方八面体的时间演化和还原剂种类对产物形貌的影响第103-106页
  §4.3.3 表面凹陷多面体颗粒的消光谱和电催化性能第106-107页
 §4.4 本章小结第107-108页
 参考文献第108-110页
第五章 总结与展望第110-112页
 §5.1 总结第110-111页
 §5.2 展望第111-112页
致谢第112-114页
在读期间发表的学术论文第114页

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