| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| ·钛酸锶钡介电薄膜 | 第12-13页 |
| ·介电薄膜制备方法 | 第13-18页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第14-15页 |
| ·射频磁控溅射法(RFS) | 第15-16页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第16-17页 |
| ·金属有机物化学气相沉积法(MOCVD) | 第17-18页 |
| ·水热法 | 第18页 |
| ·微弧氧化技术简介 | 第18-22页 |
| ·微弧氧化技术过程 | 第19-20页 |
| ·微弧氧化技术发展现状 | 第20-21页 |
| ·微弧氧化技术的特点 | 第21-22页 |
| ·微弧氧化技术在制备介电薄膜方面的研究进展 | 第22-23页 |
| ·课题研究内容及意义 | 第23-25页 |
| ·本文研究内容 | 第23-24页 |
| ·课题研究意义 | 第24-25页 |
| 第二章 实验材料、设备及方法 | 第25-31页 |
| ·薄膜制备过程 | 第25页 |
| ·前处理 | 第25页 |
| ·薄膜制备 | 第25页 |
| ·实验材料、仪器 | 第25-28页 |
| ·实验用原材料 | 第25-27页 |
| ·实验用仪器 | 第27-28页 |
| ·薄膜分析 | 第28-30页 |
| ·晶体结构及物相构成分析 | 第28-29页 |
| ·形貌观察及 EDS 成分分析 | 第29页 |
| ·膜层厚度测量 | 第29页 |
| ·截面形貌观察及元素变化分析 | 第29页 |
| ·表面粗糙度测量 | 第29-30页 |
| ·介电性能测量 | 第30页 |
| ·实验技术路线图 | 第30-31页 |
| 第三章 电解液对薄膜结构和性能的影响 | 第31-52页 |
| ·实验设计 | 第31-32页 |
| ·电解液对薄膜表面形貌的影响 | 第32-40页 |
| ·溶液 Ba/Sr 对薄膜表面形貌及粗糙度值的影响 | 第32-36页 |
| ·溶液浓度对薄膜表面形貌及表面粗糙度值的影响 | 第36-40页 |
| ·电解液对薄膜生长速率的影响 | 第40-41页 |
| ·溶液 Ba/Sr 对薄膜生长速率的影响 | 第40页 |
| ·溶液浓度对薄膜生长速率的影响 | 第40-41页 |
| ·电解液对薄膜晶体结构和 EDS 成分的影响 | 第41-51页 |
| ·拟合公式 | 第41-43页 |
| ·溶液 Ba/Sr 对薄膜晶体结构和 EDS 成分的影响 | 第43-47页 |
| ·溶液浓度对薄膜晶体结构和 EDS 成分的影响 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 电参数对薄膜结构和性能的影响 | 第52-70页 |
| ·实验设计 | 第52页 |
| ·电参数对薄膜表面形貌的影响 | 第52-59页 |
| ·电流密度对薄膜表面形貌及粗糙度值的影响 | 第52-55页 |
| ·电流频率对薄膜表面形貌及粗糙度值的影响 | 第55-57页 |
| ·反应时间对薄膜表面形貌及粗糙度值的影响 | 第57-59页 |
| ·电参数对薄膜生长速率的影响 | 第59-61页 |
| ·电流密度对薄膜生长速率的影响 | 第59-60页 |
| ·电流密度对薄膜生长速率的影响 | 第60页 |
| ·反应时间对薄膜生长速率的影响 | 第60-61页 |
| ·电参数对薄膜晶体结构及 EDS 成分的影响 | 第61-69页 |
| ·电流密度对薄膜晶体结构及 EDS 成分的影响 | 第61-64页 |
| ·电流频率对薄膜晶体结构及 EDS 成分的影响 | 第64-66页 |
| ·反应时间对薄膜晶体结构的影响 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜的截面结构及性能 | 第70-79页 |
| ·实验设计 | 第70页 |
| ·薄膜的物相及表面 EDS 成分分析 | 第70-72页 |
| ·薄膜的截面微观结构 | 第72-73页 |
| ·截面元素成分均匀性分析 | 第73-74页 |
| ·薄膜的介电性能 | 第74-76页 |
| ·微弧氧化成膜过程论述 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 全文结论与展望 | 第79-82页 |
| 一、全文结论 | 第79-80页 |
| 二、本文创新点 | 第80-81页 |
| 三、展望 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-87页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第87-89页 |
| 致谢 | 第89-90页 |
| 附件 | 第90页 |
