| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-26页 |
| ·ZnO 薄膜的结构及其特性 | 第15-16页 |
| ·ZnO 的晶体结构 | 第15-16页 |
| ·ZnO 的特性 | 第16页 |
| ·ZnO 的本征缺陷与掺杂 | 第16-20页 |
| ·ZnO 的本征缺陷 | 第17页 |
| ·ZnO 的非故意掺杂 | 第17-18页 |
| ·ZnO 的 n 型掺杂 | 第18-19页 |
| ·ZnO 的 p 型掺杂 | 第19-20页 |
| ·ZnO 薄膜的应用 | 第20-21页 |
| ·ZnO 薄膜在平面显示器方面的应用 | 第20页 |
| ·ZnO 薄膜在太阳能电池方面的应用 | 第20-21页 |
| ·ZnO 薄膜在紫外探测器方面的应用 | 第21页 |
| ·ZnO 薄膜在其它方面的应用 | 第21页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第21-24页 |
| ·真空蒸发（Vacuum Evaporation） | 第22页 |
| ·分子束外延（Molecular Beam Epitaxy） | 第22页 |
| ·溅射（Sputtering） | 第22-23页 |
| ·脉冲激光沉积（Pulsed Laser Deposition） | 第23页 |
| ·化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition） | 第23-24页 |
| ·本文研究的目的、内容和创新点 | 第24-26页 |
| ·研究目的 | 第24页 |
| ·研究内容 | 第24-25页 |
| ·本文创新点 | 第25-26页 |
| 第二章 ZnO 薄膜样品的制备及表征 | 第26-37页 |
| ·磁控溅射技术 | 第26-29页 |
| ·辉光放电 | 第26-27页 |
| ·磁控溅射原理 | 第27-28页 |
| ·反应磁控溅射 | 第28-29页 |
| ·薄膜的形成过程 | 第29-31页 |
| ·溅射原子的吸附、扩散和凝结 | 第29页 |
| ·核的形成与生长 | 第29-30页 |
| ·薄膜的形成 | 第30-31页 |
| ·ZnO:Al 薄膜的制备 | 第31-33页 |
| ·实验设备简介 | 第31-32页 |
| ·实验材料 | 第32页 |
| ·衬底的清洗 | 第32页 |
| ·薄膜制备过程 | 第32-33页 |
| ·薄膜表征方法 | 第33-36页 |
| ·X 射线衍射仪（XRD） | 第33页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第33-34页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第34页 |
| ·光致发光谱（PL） | 第34-35页 |
| ·透射光谱 | 第35页 |
| ·电阻率 | 第35-36页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS) | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 玻璃衬底 ZAO 薄膜的制备及性能 | 第37-49页 |
| ·ZnO 薄膜与 ZAO 薄膜的 XRD 分析 | 第37-38页 |
| ·工作气压对 ZAO 薄膜结构的影响 | 第38-39页 |
| ·退火温度对 ZAO 薄膜结构及光电性能的影响 | 第39-44页 |
| ·退火温度对 ZAO 薄膜结构的影响 | 第39-40页 |
| ·退火温度对 ZAO 薄膜表面形貌的影响 | 第40-41页 |
| ·退火温度对 ZAO 薄膜电学性能的影响 | 第41-42页 |
| ·退火温度对 ZAO 薄膜光学性能的影响 | 第42-44页 |
| ·氧氩比对 ZAO 薄膜微观结构及发光性能的影响 | 第44-48页 |
| ·氧氩比对 ZAO 薄膜结构的影响 | 第45页 |
| ·氧氩比对 ZAO 薄膜表面形貌的影响 | 第45-46页 |
| ·氧氩比对 ZAO 薄膜光致发光的影响 | 第46-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 单晶硅(100)衬底 ZAO 薄膜的制备及性能 | 第49-55页 |
| ·Al 靶溅射功率对单晶硅(100)衬底上 ZAO 薄膜结构及性能的影响 | 第49-54页 |
| ·Al 靶溅射功率对 Si(100)基 ZAO 薄膜结构的影响 | 第49-50页 |
| ·Al 靶溅射功率对 Si(100)基 ZAO 薄膜 AFM 形貌的影响 | 第50-51页 |
| ·Al 靶溅射功率对 Si(100)基 ZAO 薄膜电学性能的影响 | 第51-52页 |
| ·Al 靶溅射功率对 Si(100)基 ZAO 薄膜光学性能的影响 | 第52-53页 |
| ·ZAO 薄膜的 XPS 分析 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 SiC 缓冲层的制备 | 第55-61页 |
| ·工艺参数对 SiC 薄膜沉积速率的影响 | 第56-58页 |
| ·溅射气压对 SiC 薄膜沉积速率的影响 | 第56-57页 |
| ·溅射功率对 SiC 薄膜沉积速率的影响 | 第57-58页 |
| ·退火温度对 SiC 薄膜质量的影响 | 第58-60页 |
| ·退火温度对 SiC 薄膜结构的影响 | 第59-60页 |
| ·退火温度对 SiC 薄膜 AFM 形貌的影响 | 第60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 第六章 SiC/ZAO 双层薄膜的制备及性能研究 | 第61-69页 |
| ·SiC/ZAO 双层薄膜的制备 | 第61-62页 |
| ·SiC 缓冲层厚度对 ZAO 薄膜结构和性能的影响 | 第62-67页 |
| ·SiC 缓冲层厚度对 ZAO 薄膜结构的影响 | 第62页 |
| ·SiC 缓冲层厚度对 ZAO 薄膜表面形貌的影响 | 第62-64页 |
| ·SiC 缓冲层厚度对 ZAO 薄膜电学性能的影响 | 第64-65页 |
| ·SiC 缓冲层厚度对 ZAO 薄膜光学性能的影响 | 第65-66页 |
| ·SiC 缓冲层对 ZAO 薄膜力学性能的影响 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第七章 总结与展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第75-76页 |
