NEA GaN光电阴极制备以及激活方法研究
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
1 绪论 | 第7-13页 |
·NEA GaN光电阴的发展与应用 | 第7-10页 |
·GaN光电阴极的国内外研究现状 | 第10-12页 |
·本文的主要工作 | 第12-13页 |
2 GaN光电阴极工作原理及制备工艺 | 第13-22页 |
·NEA GaN光电阴极光电发射机理 | 第13-16页 |
·GaN光电阴极性能参数 | 第16-18页 |
·GaN光电阴极制备工艺 | 第18-22页 |
·GaN薄膜生长工艺 | 第18-19页 |
·GaN光电阴极基片清洗方法介绍 | 第19-20页 |
·GaN光电阴极激活方法介绍 | 第20-22页 |
3 GaN光电阴极多信息量测试与评估系统研制 | 第22-46页 |
·多信息量测试与评估系统简介 | 第22-23页 |
·GaN光电阴极多信息量测试系统硬件结构 | 第23-28页 |
·光源 | 第23-24页 |
·光栅单色仪 | 第24-25页 |
·紫外光纤 | 第25页 |
·微弱光信号处理模块 | 第25-26页 |
·铯氧源电流控制模块 | 第26-27页 |
·工程机数据采集及IO控制模块 | 第27-28页 |
·GaN光电阴极激活与测试系统软件控制模块 | 第28-35页 |
·软件开发工具 | 第28页 |
·系统硬件的软件控制方法 | 第28-35页 |
·软件激活模块研制 | 第35-42页 |
·激活模块界面 | 第35-36页 |
·激活窗口自适应的实现 | 第36-41页 |
·激活模块的实现 | 第41-42页 |
·软件光谱响应测试模块研制 | 第42-46页 |
·测试原理 | 第42页 |
·光谱响应模块的实现 | 第42-46页 |
4 实验及数据分析 | 第46-56页 |
·NEA GaN样片生长 | 第46页 |
·GaN光电阴极激活实验 | 第46-52页 |
·实验条件 | 第46-47页 |
·超高真空系统构成 | 第47-49页 |
·实验过程 | 第49-51页 |
·激活机理的表面模型分析 | 第51页 |
·实验结果分析 | 第51-52页 |
·光谱响应实验 | 第52-56页 |
·实验过程 | 第52-54页 |
·实验结果分析 | 第54-56页 |
5 结束语 | 第56-58页 |
·本论文工作总结 | 第56页 |
·有待进一步进行的工作 | 第56-58页 |
致谢 | 第58-59页 |
参考文献 | 第59-62页 |