摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-30页 |
·课题背景 | 第10页 |
·纳米TiO_2 的晶体结构特征 | 第10-12页 |
·TiO_2 的晶体结构 | 第10-12页 |
·Ti0_2 电子结构 | 第12页 |
·高表面薄膜及氧化钛薄膜的性能研究进展 | 第12-18页 |
·超亲水/超疏水响应表面 | 第13-16页 |
·染料敏化纳米晶太阳能电池 | 第16-17页 |
·光催化、防雾自清洁涂层 | 第17-18页 |
·高表面积薄膜的主要制备方法 | 第18-26页 |
·异相成合法 | 第18页 |
·等离子体处理法 | 第18-19页 |
·刻蚀法 | 第19-20页 |
·溶胶凝胶法 | 第20-21页 |
·气相沉积法 | 第21-22页 |
·电化学法 | 第22页 |
·交替沉积法 | 第22-23页 |
·模板法 | 第23页 |
·自组装法 | 第23-24页 |
·溶剂非溶剂法 | 第24页 |
·直接成膜法 | 第24-25页 |
·其它方法 | 第25-26页 |
·SILAR 法制备TiO_2 纳米薄膜的原理和现状 | 第26-29页 |
·SILAR 法的基本原理 | 第26-29页 |
·SILAR 法的研究现状 | 第29页 |
·主要研究内容 | 第29-30页 |
第2章 试验材料及方法 | 第30-35页 |
·试验材料 | 第30-31页 |
·基体材料 | 第30页 |
·制备薄膜用化学试剂 | 第30-31页 |
·SILAR 法制备TiO_2 薄膜试验 | 第31-33页 |
·SILAR 法制备TiO_2 薄膜的工艺参数选择 | 第31-32页 |
·原子氧刻蚀基体沉积高表面积薄膜的主要工艺参数 | 第32页 |
·表面活性剂辅助法制备高表面薄膜的原理及工艺选择 | 第32-33页 |
·分析测试方法 | 第33-35页 |
·表面形貌观察 | 第33页 |
·微观结构分析 | 第33-34页 |
·光学透过率测试 | 第34页 |
·接触角测量 | 第34-35页 |
第3章 SILAR 法制备TiO_2 薄膜机理研究 | 第35-50页 |
·SILAR 法沉积薄膜的厚度增长规律表征 | 第35-37页 |
·薄膜沉积驱动力分析 | 第37-39页 |
·SILAR 法制薄膜沉积层的化学状态分析 | 第39-45页 |
·X 射线光电子能谱分析 | 第39-43页 |
·电子顺磁共振分析 | 第43-45页 |
·SILAR 法制备TiO_2 纳米薄膜的形核长大过程研究 | 第45-48页 |
·原子力显微镜表面形貌分析 | 第45-46页 |
·扫描电镜表面形貌分析 | 第46-48页 |
·本章小结 | 第48-50页 |
第4章 SILAR 法制备高表面积TiO_2 薄膜及结构表征 | 第50-64页 |
·原子氧刻蚀基体沉积TiO_2 高表面积薄膜制备 | 第50-52页 |
·扫描电镜表面分析 | 第50-51页 |
·原子力显微形貌分析 | 第51-52页 |
·阳离子表面活性剂辅助法制备TiO_2 高表面积薄膜及其结构表征 | 第52-63页 |
·表面形貌分析 | 第52-57页 |
·薄膜结构表征 | 第57-63页 |
·本章小结 | 第63-64页 |
结论 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-72页 |
致谢 | 第72页 |