| 第一章 绪论 | 第1-10页 |
| 1．1 SOI技术 | 第7-8页 |
| 1．2 SiGe技术 | 第8页 |
| 1．3 四 端MOSFET及BMHMT技术 | 第8-9页 |
| 1．4 SOI/SiGe/BICMOS电路 | 第9页 |
| 1．5 本论文工作 | 第9-10页 |
| 第二章 SOI,BMHMT及SiGe技术介绍 | 第10-32页 |
| 2．1 SOI技术 | 第10-21页 |
| 2．1．1 SOIMOSFET的优点 | 第10-13页 |
| 2．1．2 SOIMOSFET的缺点--浮体效应 | 第13-16页 |
| 2．1．3 SOIMOSFET的IV特性 | 第16-21页 |
| 2．1．3．1 阈值电压 | 第16-18页 |
| 2．1．3．2 跨导 | 第18-19页 |
| 2．1．3．3 输出特性 | 第19-20页 |
| 2．1．3．4 亚阈值特性 | 第20-21页 |
| 2．2 BMHMT技术 | 第21-28页 |
| 2．2．1 正衬偏MOSFET的特性分析 | 第23-24页 |
| 2．2．2 栅控横向BJT的特性分析 | 第24-26页 |
| 2．2．3 BMHMT器件的特性分析 | 第26-28页 |
| 2．3 SiGe技术 | 第28-32页 |
| 2．3．1 应变作用下的能带变化 | 第28-30页 |
| 2．3．2 应变作用下的迁移率变化 | 第30-32页 |
| 第三章 SOISiGeCMOS的设计 | 第32-43页 |
| 3．1 SOISiGeCMOS的实现形式 | 第32-36页 |
| 3．1．1 应变SiGe沟道的PMOSFET | 第32-33页 |
| 3．1．2 应变Si沟道的NMOSFET | 第33-34页 |
| 3．1．3 我们设计的SOISiGeCMOS | 第34-36页 |
| 3．2 SOISiGe器件单管的设计 | 第36-43页 |
| 3．2．1 单管设计的工艺考虑 | 第36-37页 |
| 3．2．2 单管设计的器件考虑 | 第37-41页 |
| 3．2．2．1 栅极类型的考虑 | 第37-38页 |
| 3．2．2．2 注入参数的考虑 | 第38-41页 |
| 3．2．3 单管设计的版图考虑 | 第41-43页 |
| 第四章 SOISiGeCMOS的流水 | 第43-69页 |
| 4．1 普通SiGeMOS管的制备 | 第43-69页 |
| 4．1．1 SiGe材料生长及材料分析 | 第43-47页 |
| 4．1．2 第一批SiGePMOS及NMOS的制备和测试 | 第47-60页 |
| 4．1．2．1 工艺流程及参数选取 | 第47-49页 |
| 4．1．2．2 SiGeNMOS和PMOS的测试结果 | 第49-53页 |
| 4．1．2．3 存在问题分析以及相应的措施 | 第53-58页 |
| 4．1．2．4 关于迁移率的提取 | 第58-60页 |
| 4．1．3 第二批SiGePMOS及NMOS的制备和测试 | 第60-69页 |
| 4．1．3．1测试结果及分析 | 第61-69页 |
| 第五章 总结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 附录 | 第72-74页 |
