| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-12页 |
| 1 绪论 | 第12-27页 |
| ·金刚石的结构、性质及应用 | 第12-15页 |
| ·金刚石的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·金刚石的性质及应用 | 第13-15页 |
| ·ZnO的结构和基本性质 | 第15-17页 |
| ·晶体结构 | 第15-17页 |
| ·电学性能 | 第17页 |
| ·光学性能 | 第17页 |
| ·GaN的结构和基本性质 | 第17-19页 |
| ·晶体结构 | 第17-18页 |
| ·电学特性 | 第18-19页 |
| ·光学特性 | 第19页 |
| ·压电薄膜/金刚石结构的声表面波滤波器 | 第19-22页 |
| ·声表面波滤波器 | 第19-21页 |
| ·压电薄膜/金刚石结构 | 第21页 |
| ·影响声表面波滤波器性能的参数 | 第21-22页 |
| ·薄膜的制备技术 | 第22-24页 |
| ·溶胶—凝胶法 | 第22-23页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第23页 |
| ·分子束外延 | 第23页 |
| ·溅射法 | 第23-24页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第24页 |
| ·本论文的研究目的和研究内容 | 第24-27页 |
| 2 薄膜制备及分析方法 | 第27-44页 |
| ·薄膜的制备方法 | 第27-36页 |
| ·射频磁控溅射系统 | 第27-30页 |
| ·影响磁控溅射沉积ZnO薄膜的主要因素 | 第28-29页 |
| ·主要实验参数范围 | 第29-30页 |
| ·等离子体增强MOCVD系统 | 第30-32页 |
| ·影响等离子体增强MOCVD系统样品制备的主要因素 | 第31-32页 |
| ·主要实验参数范围 | 第32页 |
| ·电子回旋共振MOCVD系统 | 第32-36页 |
| ·影响电子回旋共振MOCVD系统样品制备的主要因素 | 第35页 |
| ·主要实验参数范围 | 第35-36页 |
| ·ZnO和GaN薄膜的分析方法 | 第36-44页 |
| ·X射线衍射谱 | 第36页 |
| ·反射高能电子衍射谱 | 第36-38页 |
| ·扫描电镜 | 第38页 |
| ·原子力显微镜 | 第38页 |
| ·电子显微探针分析 | 第38-39页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第39-40页 |
| ·光致发光谱 | 第40页 |
| ·霍尔效应 | 第40-44页 |
| 3 自持金刚石厚膜基片 | 第44-52页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·自持金刚石厚膜 | 第44-47页 |
| ·自持金刚石厚膜的预处理 | 第47-52页 |
| ·激光切割 | 第47-48页 |
| ·手工机械抛光 | 第48-51页 |
| ·化学处理 | 第51页 |
| ·小结 | 第51-52页 |
| 4 射频磁控溅射法在FTDF上沉积ZnO薄膜及性能研究 | 第52-73页 |
| ·不同基片温度下ZnO薄膜的特性分析 | 第52-59页 |
| ·基片温度对ZnO薄膜结晶特性的影响 | 第52-55页 |
| ·基片温度对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第55-57页 |
| ·基片温度对ZnO薄膜光电性质的影响 | 第57-59页 |
| ·小结 | 第59页 |
| ·其他沉积条件下ZnO薄膜的特性分析 | 第59-65页 |
| ·射频功率对ZnO薄膜生长及特性的影响 | 第59-62页 |
| ·不同气压条件下ZnO的特性分析 | 第62-64页 |
| ·不同O_2/Ar比条件下ZnO的特性分析 | 第64-65页 |
| ·小结 | 第65页 |
| ·FTDF基片上ZnO薄膜生长机制探讨 | 第65-71页 |
| ·FTDF基片上ZnO的成核机制 | 第65-67页 |
| ·FTDF基片上ZnO的织构与团簇生长机制 | 第67-68页 |
| ·FTDF基片上ZnO生长机制的指导意义 | 第68-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 5 等离子体增强MOCVD法在FTDF上沉积ZnO薄膜及其性能研究 | 第73-93页 |
| ·基片温度对未掺杂ZnO薄膜的影响 | 第73-76页 |
| ·基片温度对未掺杂ZnO薄膜结晶特性的影响 | 第73-75页 |
| ·基片温度对未掺杂ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第75页 |
| ·基片温度对未掺杂ZnO薄膜发光性能的影响 | 第75-76页 |
| ·小结 | 第76页 |
| ·基片温度对N掺杂ZnO薄膜的影响 | 第76-88页 |
| ·不同基片温度对N掺杂ZnO薄膜结晶特性的影响 | 第79-81页 |
| ·基片温度对N掺杂ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第81-82页 |
| ·不同基片温度下N掺杂ZnO薄膜的室温PL谱分析 | 第82-83页 |
| ·不同基片温度下N掺杂ZnO薄膜的低温PL谱分析 | 第83-85页 |
| ·基片温度对N掺杂ZnO薄膜的成分和Zn-O键合的影响 | 第85-88页 |
| ·基片温度对N掺杂ZnO薄膜电学性能的影响 | 第88页 |
| ·小结 | 第88页 |
| ·MOCVD法在FTDF上沉积ZnO薄膜的生长机制探讨 | 第88-91页 |
| ·基片温度对未掺杂ZnO薄膜生长机制的影响 | 第89-90页 |
| ·基片温度对N掺杂ZnO薄膜生长机制的影响 | 第90-91页 |
| ·小结 | 第91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 6 电子回旋共振MOCVD法在FTDF上沉积GaN薄膜及其性能研究 | 第93-105页 |
| ·不同基片温度下GaN的特性分析 | 第93-96页 |
| ·基片温度对GaN薄膜RHEED结果的影响 | 第94页 |
| ·基片温度对GaN薄膜XRD结果的影响 | 第94-95页 |
| ·基片温度对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第95-96页 |
| ·小结 | 第96页 |
| ·不同缓冲层条件下GaN的特性分析 | 第96-100页 |
| ·缓冲层条件对GaN薄膜RHEED结果的影响 | 第96-98页 |
| ·缓冲层条件对GaN薄膜XRD结果的影响 | 第98-99页 |
| ·缓冲层条件对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第99页 |
| ·小结 | 第99-100页 |
| ·不同N_2流量下GaN的特性分析 | 第100-104页 |
| ·N_2流量对GaN薄膜RHEED结果的影响 | 第100-102页 |
| ·N_2流量对GaN薄膜XRD结果的影响 | 第102页 |
| ·N_2流量对GaN薄膜表面形貌的影响 | 第102-103页 |
| ·小结 | 第103-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 结论 | 第105-107页 |
| 尚存在的问题及展望 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-115页 |
| 攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第115-116页 |
| 创新点摘要 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117-118页 |
