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AlGaN/GaN HEMT器件建模及功率合成研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 绪论第8-14页
   ·选题背景第8-10页
   ·国内外研究动态第10-12页
   ·本文的主要研究内容第12-14页
第二章 AlGaN/GaN HEMT小信号模型分析第14-30页
   ·AlGaN/GaN HEMT器件结构与工作原理第14-17页
   ·HEMT小信号模型第17-19页
   ·AlGaN/GaN HEMT小信号等效电路模型分析第19-27页
     ·GaN HEMT小信号模型寄生参数提取第21-25页
     ·GaN HEMT小信号模型本征参数的提取第25-26页
     ·GaN HEMT小信号模型元件参数优化第26-27页
   ·模型验证第27-30页
第三章 AlGaN/GaN HEMT大信号模型分析第30-43页
   ·HEMT大信号模型第31-34页
   ·GaN HEMT大信号I-V特性模型第34-40页
     ·几种常见的大信号I-V特性模型第34-37页
     ·一种改进的大信号I-V特性模型第37-40页
   ·GaN HEMT非线性电容模型第40-41页
   ·漏栅电流I_(gd)和栅源电流I_(gs)模型第41-43页
第四章 GaN HEMT微波功率合成研究第43-60页
   ·微波功率分配器/合成器的分析与设计第43-52页
     ·微带线第45-47页
     ·Wilkinson功率分配器/合成器分析第47-51页
     ·微带型Wilkinson功率分配器/合成器的设计与仿真第51-52页
   ·GaN HEMT微波功率合成电路的设计与分析第52-60页
     ·GaN HEMT单管微波功率放大器的设计与分析第53-58页
     ·双管微波功率合成电路的设计与分析第58-60页
第五章 结论第60-61页
致谢第61-62页
参考文献第62-66页
在学期间取得的研究成果第66页

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