论文摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-9页 |
第一章 绪论 | 第9-23页 |
·金属间化合物中的点缺陷结构 | 第9-12页 |
·点缺陷的基本性质 | 第9页 |
·点缺陷的形成 | 第9-10页 |
·点缺陷的平衡浓度 | 第10-11页 |
·点缺陷的迁移 | 第11页 |
·辐照合金非平衡点缺陷 | 第11-12页 |
·研究缺陷的实验方法 | 第12页 |
·金属间化合物概述 | 第12-19页 |
·金属间化合物结构材料的发展 | 第14-15页 |
·NiAl金属间化合物的概述 | 第15-17页 |
·NiAl合金基本物理性质 | 第15-16页 |
·NiAl合金晶体缺陷 | 第16-17页 |
·NiAl合金化 | 第17页 |
·TiAl金属间化合物的概述 | 第17-19页 |
·TiAl合金的基本物理性质 | 第17-19页 |
·TiAl合金晶体缺陷 | 第19页 |
·TiAl合金化 | 第19页 |
·本论文主要研究目的及意义 | 第19-21页 |
·主要研究内容 | 第21页 |
·参考文献 | 第21-23页 |
第二章 正电子湮没原理与测量方法 | 第23-37页 |
·引言 | 第23-24页 |
·正电子湮没技术的发展与现状 | 第24-25页 |
·正电子湮没 | 第25-27页 |
·正电子湮没过程 | 第25-26页 |
·正电子湮没率 | 第26-27页 |
·正电子在固体中的寿命、多普勒展宽 | 第27-28页 |
·正电子谱学实验方法 | 第28-32页 |
·正电子寿命测量 | 第28-29页 |
·2γ角关联 | 第29页 |
·多普勒展宽谱 | 第29-31页 |
·慢正电子束技术(Slow Positron Beam) | 第31-32页 |
·正电子湮没技术在固体中的缺陷研究 | 第32-35页 |
·参考文献 | 第35-37页 |
第三章 符合多普勒展宽测量系统的建立 | 第37-51页 |
·引言 | 第37页 |
·正电子湮没符合多普勒展宽测量的物理思想 | 第37-39页 |
·正电子湮没符合多普勒展宽测量的研究进展 | 第39-40页 |
·正电子湮没符合多普勒展宽测量的相关定义 | 第40-41页 |
·正电子湮没符合多普勒展宽谱仪的建立与发展 | 第41-48页 |
·实验装置的设计 | 第41-43页 |
·谱仪系统的整体组成结构 | 第43-45页 |
·数据采集与处理 | 第45-46页 |
·能量筛选 | 第45-46页 |
·差谱生成 | 第46页 |
·商谱生成 | 第46页 |
·系统的性能指标 | 第46-48页 |
·能量分辨率的标定 | 第46-47页 |
·时间分辨率的标定 | 第47页 |
·系统峰谷比的标定 | 第47-48页 |
·结论 | 第48-49页 |
·参考文献 | 第49-51页 |
第四章 NiAl金属间化合物的晶体点缺陷研究 | 第51-67页 |
·引言 | 第51页 |
·NiAl合金晶体点缺陷结构 | 第51-60页 |
·样品的制备 | 第53-54页 |
·实验分析方法 | 第54-55页 |
·实验结果及讨论 | 第55-60页 |
·正电子寿命分析与讨论 | 第55-57页 |
·符合多普勒展宽测量分析与讨论 | 第57-59页 |
·正电子寿命-动量关联技术的分析与讨论 | 第59-60页 |
·结论 | 第60页 |
·掺杂NiAl合金的缺陷结构研究 | 第60-64页 |
·样品的制备及其分析方法 | 第61页 |
·实验结果与讨论 | 第61-64页 |
·正电子寿命分析结果与讨论 | 第61-62页 |
·符合多普勒测量分析与讨论 | 第62-64页 |
·结论 | 第64页 |
·参考文献 | 第64-67页 |
第五章 掺杂TiAl合金的正电子湮没研究 | 第67-79页 |
·引言 | 第67-68页 |
·Nb对TiAl合金的掺杂效应研究 | 第68-74页 |
·样品的制备 | 第69页 |
·实验分析方法 | 第69页 |
·实验结果及讨论 | 第69-73页 |
·正电子寿命分析及讨论 | 第69-71页 |
·符合多普勒展宽测量分析及讨论 | 第71-73页 |
·结论 | 第73-74页 |
·Si对TiAl合金的掺杂效应研究 | 第74-76页 |
·样品的制备 | 第74-75页 |
·实验结果与讨论 | 第75-76页 |
·结论 | 第76页 |
·参考文献 | 第76-79页 |
第六章 TiAl合金中子辐照缺陷结构研究 | 第79-97页 |
·引言 | 第79-80页 |
·实验分析方法 | 第80-81页 |
·样品的制备 | 第80页 |
·正电子寿命谱测量(PALS) | 第80-81页 |
·符合多普勒展宽测量(CDB) | 第81页 |
·结果与讨论 | 第81-94页 |
·TiAl合金的中子辐照缺陷研究 | 第81-87页 |
·Si掺杂TiAl合金的中子辐照缺陷研究 | 第87-90页 |
·Nb掺杂TiAl合金的中子辐照缺陷研究 | 第90-94页 |
·结论 | 第94页 |
·参考文献 | 第94-97页 |
第七章 Ti/Al多层膜的热稳定性研究 | 第97-113页 |
·引言 | 第97页 |
·实验分析方法 | 第97-101页 |
·TiAl多层膜样品的制备 | 第97-98页 |
·多层膜热处理过程 | 第98页 |
·样品分析方法 | 第98-101页 |
·慢正电子单探头Doppler测量 | 第98-100页 |
·慢正电子符合Doppler展宽测量 | 第100-101页 |
·X射线衍射(XRD) | 第101页 |
·结果与讨论 | 第101-109页 |
·单探头慢正电子湮没谱结果与讨论 | 第101-106页 |
·符合多普勒慢正电子湮没谱结果与讨论 | 第106-109页 |
·结论 | 第109页 |
·参考文献 | 第109-113页 |
第八章 结束语 | 第113-115页 |
论文发表情况 | 第115-117页 |
致谢 | 第117-119页 |
作者简介 | 第119页 |