| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 1 绪论 | 第8-18页 |
| ·脉冲功率技术概述 | 第8-10页 |
| ·开关技术 | 第10-12页 |
| ·新开通原理的半导体固态开关 | 第12-17页 |
| ·SOS(Semiconductor opening switch) | 第12-13页 |
| ·DSRD (Drift-Step-Recovery Diode) | 第13页 |
| ·RSD（Reversely Switched Dynistor） | 第13-17页 |
| ·本论文研究内容及各章节安排 | 第17-18页 |
| 2 RSD 结构及其基本原理 | 第18-30页 |
| ·引言 | 第18-19页 |
| ·RSD 的基本结构与工作原理 | 第19-25页 |
| ·预充过程 | 第20-23页 |
| ·导通过程 | 第23-25页 |
| ·RSD 开通条件 | 第25-27页 |
| ·RSD 脉冲发生电路 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 3 新结构对RSD 换流特性的影响 | 第30-45页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·“薄基区－缓冲层－透明阳极”结构的特点 | 第30-33页 |
| ·“薄基区－缓冲层－透明阳极”结构对RSD 特性的影响 | 第33-36页 |
| ·新结构对开通的影响 | 第33-34页 |
| ·新结构对阻断电压的影响 | 第34-35页 |
| ·新结构对关断的影响 | 第35-36页 |
| ·对新结构的几点理论验证 | 第36-44页 |
| ·缓冲层与等离子层电荷密度 | 第36-39页 |
| ·缓冲层与阻断电压 | 第39-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 4 新结构RSD 的工艺探索 | 第45-59页 |
| ·制备RSD 工艺流程 | 第45-46页 |
| ·新结构工艺的探索研究 | 第46-53页 |
| ·n 基区的减薄 | 第46-47页 |
| ·缓冲层浓度对制备新结构的影响 | 第47-50页 |
| ·平板式工艺实现透明阳极的验证 | 第50-53页 |
| ·对阴极版图的改进 | 第53-56页 |
| ·对预充的影响 | 第54-55页 |
| ·对阻断特性的影响 | 第55-56页 |
| ·RSD 芯片电参数测试 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 5 结论 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
