| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·纳米材料的基本概念 | 第8-9页 |
| ·纳米材料的性质 | 第9-12页 |
| ·纳米材料的制备方法简介 | 第12-13页 |
| ·本论文的研究现状 | 第13-17页 |
| ·复合氧化物GaSbO_4 的结构及研究进展 | 第13-14页 |
| ·III-V 族半导体化合物的性质及研究进展 | 第14-16页 |
| ·通常制备纳米复合氧化物的方法 | 第16-17页 |
| ·本论文选题的目的和意义及主要结果 | 第17-19页 |
| ·选题的目的和意义 | 第17-18页 |
| ·主要结果 | 第18-19页 |
| ·主要检测仪器及测试条件 | 第19-20页 |
| 第二章 CuSb_2O_6纳米相的制备和表征 | 第20-35页 |
| ·引言 | 第20-21页 |
| ·实验部分 | 第21-22页 |
| ·实验试剂 | 第21页 |
| ·制备方法 | 第21-22页 |
| ·测试结果与讨论 | 第22-34页 |
| ·合成条件讨论 | 第22-27页 |
| ·粉末X-射线衍射 | 第27-29页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM）和高倍透射电子显微镜（HRTEM） | 第29-30页 |
| ·分析和讨论高温相在室温稳定存在的可能原因 | 第30-33页 |
| ·磁性的表征和讨论 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 纳米相GaSbO_4的合成与还原 | 第35-45页 |
| ·引言 | 第35-37页 |
| ·实验部分 | 第37-39页 |
| ·实验试剂 | 第37页 |
| ·实验设计 | 第37-38页 |
| ·纳米相GaSbO_4 的制备与还原路线 | 第38-39页 |
| ·实验讨论 | 第39-43页 |
| ·前驱体纳米相GaSbO_4 的表征 | 第39-41页 |
| ·前驱体纳米相GaSbO_4 的还原反应 | 第41-43页 |
| ·液相反应结果 | 第43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-53页 |
| 中文摘要 | 第53-55页 |
| Abstract | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 作者简历 | 第58页 |