阳极键合高压（脉冲）电源设计及键合工艺特性分析
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·阳极键合技术 | 第10-11页 |
| ·阳极键合技术及特点 | 第10页 |
| ·阳极键合技术的实验条件 | 第10-11页 |
| ·玻璃与金属的阳极键合机理 | 第11页 |
| ·阳极键合技术研究概况 | 第11-14页 |
| ·阳极键合技术的应用及研究进展 | 第14-19页 |
| ·金属与玻璃的连接 | 第14-15页 |
| ·硅与玻璃的连接 | 第15页 |
| ·通过中间层实现玻璃/玻璃的连接 | 第15-16页 |
| ·金属(硅)与陶瓷的连接 | 第16-17页 |
| ·通过中间层实现硅与硅的连接 | 第17页 |
| ·运用阳极键合技术实现玻璃、硅和金属的多层连接 | 第17-18页 |
| ·与其它连接方法一起实现多层不同材料的连接 | 第18-19页 |
| ·本课题研究的背景及主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 试验材料及设备 | 第21-31页 |
| ·试验材料 | 第21-26页 |
| ·试验所用玻璃材料 | 第21-25页 |
| ·试验所用硅材料 | 第25页 |
| ·试验所用金属材料 | 第25-26页 |
| ·试验设备及仪器 | 第26-31页 |
| ·高压(脉冲)电源的设计 | 第26-30页 |
| ·扫描电子显微镜分析 | 第30页 |
| ·X射线衍射分析 | 第30-31页 |
| 第三章 金属与硼硅玻璃的阳极键合连接 | 第31-49页 |
| ·高压(脉冲)电源键合工艺试验 | 第31-33页 |
| ·试验材料及方法 | 第31页 |
| ·键合过程工艺性能分析 | 第31-33页 |
| ·金属与硼硅玻璃的阳极键合试验 | 第33-39页 |
| ·试验方法 | 第33页 |
| ·金属与硼硅玻璃键合试验结果分析 | 第33-34页 |
| ·铝与硼硅玻璃连接界面微观结构分析 | 第34-37页 |
| ·Kovar合金与硼硅玻璃连接界面微观分析 | 第37-39页 |
| ·金属与硼硅玻璃阳极键合连接形成机理分析 | 第39-46页 |
| ·界面离子流及其影响因素 | 第40-41页 |
| ·界面静电力及镜像吸附作用 | 第41-44页 |
| ·结合界面的固相化学反应及过渡区形成 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-49页 |
| 第四章 硼硅玻璃薄膜的制备 | 第49-63页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第49-50页 |
| ·射频磁控溅射的基本原理 | 第50-55页 |
| ·溅射镀膜 | 第50-51页 |
| ·射频溅射 | 第51-52页 |
| ·磁控溅射 | 第52-53页 |
| ·射频磁控溅射镀膜过程 | 第53-54页 |
| ·溅射特性 | 第54-55页 |
| ·射频磁控溅射实验装置 | 第55-58页 |
| ·基本结构与组成 | 第56页 |
| ·主要技术性能指标 | 第56-57页 |
| ·靶的结构尺寸 | 第57页 |
| ·衬底基片 | 第57页 |
| ·挡板系统 | 第57页 |
| ·采用计算机控制镀膜系统 | 第57-58页 |
| ·陶瓷基片硼硅玻璃薄膜的制备 | 第58-59页 |
| ·基片的预处理 | 第58页 |
| ·靶材的设计 | 第58页 |
| ·沉积速率与射频功率的关系 | 第58-59页 |
| ·薄膜的沉积工艺参数 | 第59页 |
| ·陶瓷基片硼硅玻璃薄膜的表征 | 第59-61页 |
| ·膜厚的测量 | 第59-60页 |
| ·扫描电子显微分析 | 第60页 |
| ·X射线能谱分析 | 第60-61页 |
| ·X射线衍射分析 | 第61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文 | 第73页 |
