64K BiCMOS PROM的工艺实现
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 1 绪论 | 第9-11页 |
| ·半导体工艺技术的发展背景 | 第9-10页 |
| ·课题的来源和意义 | 第10页 |
| ·课题目标 | 第10-11页 |
| 2 PROM器件 | 第11-18页 |
| ·器件介绍 | 第11页 |
| ·工作原理 | 第11-13页 |
| ·PROM器件 | 第13-15页 |
| ·薄膜电阻材料 | 第15-16页 |
| ·BiCMOS技术 | 第16-18页 |
| 3 熔丝电阻 | 第18-22页 |
| ·熔丝电阻 | 第18-20页 |
| ·热学计算 | 第18-20页 |
| ·结构分析 | 第20页 |
| ·实验数据 | 第20-21页 |
| ·可靠性考虑 | 第21-22页 |
| 4 MOS工作原理及阈值电压(均以NMOS为例) | 第22-25页 |
| ·MOS工艺的基本工作原理 | 第22-23页 |
| ·MOS的阈值电压 | 第23-25页 |
| 5 工艺流程及原理 | 第25-50页 |
| ·工艺流程及分析 | 第25-35页 |
| ·具体工艺流程 | 第25-35页 |
| ·工艺过程的影响 | 第35页 |
| ·工艺原理 | 第35-50页 |
| ·薄膜制作 | 第35-41页 |
| ·掺杂 | 第41-45页 |
| ·刻蚀 | 第45-49页 |
| ·热处理 | 第49-50页 |
| 6 熔丝 | 第50-53页 |
| 7 工艺改进 | 第53-60页 |
| ·替代的栅绝缘层 | 第53页 |
| ·轻掺杂漏极(LDD) | 第53-57页 |
| ·局部场氧化隔离法 | 第57-59页 |
| ·掺HCL氧化的研究 | 第59-60页 |
| 8 测试及封装 | 第60-62页 |
| ·硅片测试 | 第60-61页 |
| ·封装 | 第61-62页 |
| 9 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 在学研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
