| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 论文目录 | 第8-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-29页 |
| ·红外探测器的发展简史 | 第11-12页 |
| ·红外探测器应用 | 第12-14页 |
| ·红外探测器分类 | 第14-18页 |
| ·InGaAs红外探测器 | 第18-25页 |
| ·InGaAs和InP的材料特性 | 第18-20页 |
| ·InGaAs和InP材料的GSMBE生长 | 第20-21页 |
| ·InGaAs／InP红外探测器 | 第21-25页 |
| ·InAsSb红外探测器发展 | 第25-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 光伏探测器原理及性能分析 | 第29-42页 |
| ·光伏型PIN探测器工作原理 | 第29-30页 |
| ·表征探测器性能的基本参数 | 第30-37页 |
| ·响应度 | 第30-32页 |
| ·探测率 | 第32-33页 |
| ·暗电流 | 第33-35页 |
| ·电容 | 第35页 |
| ·R_0A | 第35-37页 |
| ·光谱响应 | 第37页 |
| ·器件测试 | 第37-41页 |
| ·I-V特性测量系统 | 第37-39页 |
| ·光谱响应测量系统 | 第39-40页 |
| ·C-V特性测量系统 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN光电探测器性能分析 | 第42-59页 |
| ·In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器器件结构与工艺 | 第42-43页 |
| ·In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器光谱响应 | 第43-44页 |
| ·In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器I-V特性 | 第44-52页 |
| ·In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器I-V特性测试及理论分析 | 第44-48页 |
| ·In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器暗电流的温度特性 | 第48-52页 |
| ·In_(0.53)Ga+(0.47)As探测器R_0A | 第52-55页 |
| ·R_0A的温度特性 | 第52-53页 |
| ·R_0A随i层载流子浓度的变化关系 | 第53-55页 |
| ·In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器均匀性的研究 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 扩展波长InGaAs探测器性能研究 | 第59-79页 |
| ·扩展波长In_xGa_(1-x)As探测器器件结构及器件工艺 | 第60页 |
| ·扩展波长In_xGa_(1-x)As探测器光谱响应 | 第60-63页 |
| ·扩展波长In_xGa_(1-x)As探测器C-V特性 | 第63-65页 |
| ·扩展波长In_xGa_(1-x)As探测器Ⅰ-Ⅴ特性 | 第65-74页 |
| ·正向偏置Ⅰ-Ⅴ特性 | 第65页 |
| ·反向偏置Ⅰ-Ⅴ特性 | 第65-69页 |
| ·暗电流温度特性 | 第69-74页 |
| ·扩展波长In_xGa_(1-x)As探测器R_0A分析 | 第74-78页 |
| ·R_0A温度特性分析 | 第74-76页 |
| ·R_0A随i层载流子浓度变化关系 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 InGaAs探测器阵列研究 | 第79-87页 |
| ·引言 | 第79页 |
| ·红外探测器阵列发展 | 第79-84页 |
| ·In_(0.53)Ga_(0.47)As探测器阵列的研究 | 第84-86页 |
| ·本章小结 | 第86-87页 |
| 第七章 结论 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-95页 |
| 发表文章目录 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 作者简介 | 第97页 |
