| 序言 | 第1-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-30页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·直拉单晶硅中氮的基本性质 | 第8-11页 |
| ·氮对直拉单晶硅机械性能的影响 | 第11-12页 |
| ·氮对直拉单晶硅中结构缺陷的影响 | 第12-21页 |
| ·氮对直拉单晶硅中氧沉淀的影响 | 第12-16页 |
| ·对原生氧沉淀的影响 | 第12-14页 |
| ·对热处理过程中氧沉淀的影响 | 第14-15页 |
| ·氮对氧沉淀的影响机理 | 第15-16页 |
| ·氮对直拉单晶硅中空洞型缺陷的影响 | 第16-19页 |
| ·氮对原生Viod缺陷的影响 | 第16-17页 |
| ·NCZ中，空洞型缺陷的退火性质 | 第17-18页 |
| ·氮对空洞型缺陷的影响机理 | 第18-19页 |
| ·氮对直拉单晶硅中氧化诱生堆垛层错(OSF)的影响 | 第19-21页 |
| ·OSF的产生 | 第19-20页 |
| ·氮对OSF环的影响机理 | 第20-21页 |
| ·太阳电池在光照过程中效率衰减问题 | 第21-23页 |
| ·问题的提出 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-30页 |
| 第二章 测试设备 | 第30-43页 |
| ·扩展电阻仪(Spread Resistance Probe) | 第30-31页 |
| ·直流四探针(Four Point Probe)测量体电阻率 | 第31-33页 |
| ·WT—2000型微波光电导少子寿命测试仪 | 第33-39页 |
| ·傅立叶变换红外麦克尔逊干涉仪(Fourier Transform Infrared Spectroscopy, FTIR) | 第39-43页 |
| 第三章 掺氮直拉单晶硅原生材料的性质 | 第43-52页 |
| ·引言 | 第43页 |
| ·实验内容 | 第43-44页 |
| ·试验结果与讨论 | 第44-51页 |
| ·少子体寿命 | 第44-47页 |
| ·原生氧沉淀 | 第47-48页 |
| ·少子体寿命的线分布 | 第48-50页 |
| ·间隙氧浓度的线分布 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 掺氮直拉单晶硅在太阳能电池热处理工艺中氧沉淀行为 | 第52-62页 |
| ·引言 | 第52-53页 |
| ·在普通太阳电池热处理工艺中的氧沉淀行为 | 第53-57页 |
| ·实验 | 第53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-57页 |
| ·在两步热处理工艺中的氧沉淀行为 | 第57-59页 |
| ·实验 | 第57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第五章 氮对B-O复合体的影响 | 第62-75页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·实验内容 | 第63页 |
| ·实验结果与讨论 | 第63-70页 |
| ·掺氮直拉单晶硅硅片与普通直拉单晶硅硅片的基本参数 | 第63-64页 |
| ·双面钝化前后少子测试寿命的提高 | 第64-65页 |
| ·少子测试寿命随光照时间的衰减曲线 | 第65页 |
| ·归一化光生缺陷浓度的定义 | 第65-67页 |
| ·归一化缺陷浓度随光照时间的增长曲线 | 第67-68页 |
| ·对归一化缺陷浓度的拟合 | 第68-70页 |
| ·掺氮直拉单晶硅中B-O复合体的结构 | 第70-72页 |
| ·结论 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-75页 |
| 第六章 单晶硅太阳电池浅结的制备 | 第75-84页 |
| ·目前单晶硅太阳电池磷扩散制备PN结工艺中的突出问题 | 第75-78页 |
| ·实验 | 第78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-82页 |
| ·结论 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 第七章 掺氮直拉单晶硅太阳电池的制备及其性能的表征 | 第84-90页 |
| ·引言 | 第84页 |
| ·实验 | 第84页 |
| ·实验结果与讨论 | 第84-88页 |
| ·结论 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-90页 |
| 第八章 总结 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91页 |
