| 独创性声明 | 第1页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第2-3页 |
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| 1．1 多孔硅发光材料的研究意义 | 第8-9页 |
| 1．2 多孔硅发光材料的研究进展 | 第9-21页 |
| 1．2．1 多孔硅的制备方法 | 第9-14页 |
| 1．2．1．1 电化学刻蚀法(阳极氧化法) | 第9-11页 |
| 1．2．1．2 光化学刻蚀法 | 第11-12页 |
| 1．2．1．3 化学腐蚀法 | 第12-13页 |
| 1．2．1．4 其它方法 | 第13-14页 |
| 1．2．2 多孔硅的生长机制 | 第14-16页 |
| 1．2．3 多孔硅的发光性能及发光机理 | 第16-18页 |
| 1．2．3．1 多孔硅的发光性能 | 第16-17页 |
| 1．2．3．2 多孔硅的发光机理 | 第17-18页 |
| 1．2．4 多孔硅的应用前景 | 第18-21页 |
| 1．2．4．1 多孔硅基发光二极管 | 第18-19页 |
| 1．2．4．2 多孔硅基光探测器 | 第19-20页 |
| 1．2．4．3 多孔硅湿度传感器 | 第20-21页 |
| 1．3 多孔硅发光材料目前存在的问题 | 第21页 |
| 1．4 本试验的试验方法及创新之处 | 第21-24页 |
| 1．4．1 二步法多孔硅 | 第22-23页 |
| 1．4．2 激光法多孔硅 | 第23-24页 |
| 第二章 试验原料和试验装置 | 第24-27页 |
| 2．1 试验原料 | 第24页 |
| 2．2 试验装置 | 第24-27页 |
| 2．2．1 恒温磁力搅拌器 | 第24-25页 |
| 2．2．2 化学刻蚀装置 | 第25页 |
| 2．2．3 电化学刻蚀装置 | 第25-26页 |
| 2．2．4 激光器 | 第26-27页 |
| 第三章 二步法多孔硅 | 第27-40页 |
| 3．1 二步法多孔硅的制备 | 第27页 |
| 3．1．1 第一步——化学刻蚀 | 第27页 |
| 3．1．2 第二步——电化学刻蚀 | 第27页 |
| 3．1．3 对比试验 | 第27页 |
| 3．2 二步法多孔硅的表征 | 第27-29页 |
| 3．2．1 光致发光性能(PL) | 第28页 |
| 3．2．2 表面及截面形貌(SEM) | 第28-29页 |
| 3．2．3 成分分析(EDS) | 第29页 |
| 3．2．4 表面键分析(FTIR) | 第29页 |
| 3．3 试验结果与讨论 | 第29-35页 |
| 3．3．1 光致发光性能 | 第29-30页 |
| 3．3．2 表面及截面形貌 | 第30-32页 |
| 3．3．3 成分分析及表面键分析 | 第32-34页 |
| 3．3．4 银对光致发光性能的影响 | 第34-35页 |
| 3．4 独特的多孔硅结构 | 第35-38页 |
| 3．4．1 独特结构及其形成机制 | 第35-37页 |
| 3．4．2 独特结构的可能应用前景 | 第37-38页 |
| 3．5 今后的研究方向 | 第38-40页 |
| 第四章 激光法多孔硅 | 第40-50页 |
| 4．1 激光法多孔硅的制备 | 第40-41页 |
| 4．1．1 多孔硅的制备 | 第40页 |
| 4．1．2 多孔硅的后处理 | 第40页 |
| 4．1．3 激光处理 | 第40-41页 |
| 4．2 激光法多孔硅的表征 | 第41页 |
| 4．2．1 光致发光性能、表面键和截面形貌分析(PL, FTIR, SEM) | 第41页 |
| 4．2．2 非晶化检测(XRD) | 第41页 |
| 4．3 试验结果与讨论 | 第41-50页 |
| 4．3．1 激光处理参数的理论计算 | 第42-45页 |
| 4．3．2 光致发光性能 | 第45页 |
| 4．3．3 非晶化检测和形貌分析 | 第45-47页 |
| 4．3．4 表面键分析 | 第47-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |