| 第一章 绪论 | 第1-24页 |
| §1.1 课题的研究背景和意义 | 第11-13页 |
| §1.2 共振隧穿器件工作原理 | 第13-17页 |
| §1.2.1 基本概念 | 第13-14页 |
| §1.2.2 基本理论 | 第14-17页 |
| §1.3 共振隧穿隧穿二极管(Resonant Tunneling Diode)的国内外的发展现状 | 第17-21页 |
| §1.3.1 理论模型 | 第18-19页 |
| §1.3.2 器件研究进展 | 第19-20页 |
| §1.3.3 RTD的应用 | 第20-21页 |
| §1.4 微分负阻三端器件的共同工作原理 | 第21-22页 |
| §1.5 微分负阻异质结双极晶体管(简称NDR HBT)的国内外的发展现状 | 第22页 |
| §1.6 本论文的研究工作 | 第22-24页 |
| 第二章 RTD、NDRHBT及其单元电路设计与制备 | 第24-42页 |
| §2.1 材料设计与制备 | 第24-27页 |
| §2.1.1 分子束外延技术(MBE)简介 | 第24页 |
| §2.1.2 MBE原理和装置 | 第24-27页 |
| §2.2 RTD材料设计 | 第27-31页 |
| §2.2.1 RTD设计的考虑 | 第27-30页 |
| §2.2.2 RTD材料设计 | 第30-31页 |
| §2.3 RTD和串联RTD的结构、版图与工艺 | 第31-34页 |
| §2.3.1 RTD器件的结构 | 第31-32页 |
| §2.3.2 RTD和串联RTD版图与工艺 | 第32-34页 |
| §2.4 RTD单元电路结构、版图与工艺 | 第34-36页 |
| §2.5 三种NDRHBT材料设计与制备 | 第36-38页 |
| §2.5.1 电阻栅材料结构设计 | 第36-37页 |
| §2.5.2 在超薄基区负阻异质结晶体管(UTBNDRHBT)材料结构设计(8nm) | 第37页 |
| §2.5.3 双基区晶体管DUBAT | 第37-38页 |
| §2.6 NDR HBT单元电路结构、版图与工艺 | 第38-42页 |
| 第三章 测试与分析 | 第42-65页 |
| §3.1 RTD&串联RTD直流与双稳态特性的测试 | 第42-45页 |
| §3.2 RTD Ⅰ-Ⅴ特性的温度效应 | 第45-50页 |
| §3.3 三种类型的NDRHBT的研制及测试与分析 | 第50-65页 |
| §3.3.1 电阻栅结构异质结双极晶体管HBT的研制 | 第50-56页 |
| §3.3.2 超薄基区负阻HBT的研制(8nm) | 第56-62页 |
| §3.3.3 双基区晶体管(DUBAT)或基区刻断晶体管的研制 | 第62-65页 |
| 第四章 器件模拟与电路模型的建立 | 第65-76页 |
| §4.1 器件模拟研究 | 第65-72页 |
| §4.2 RTD器件模型模拟的研究 | 第72-74页 |
| §4.3 NDRHBT器件模拟的研究 | 第74-76页 |
| 第五章 NDR HBT应用电路的研究 | 第76-85页 |
| §5.1 NDR HBT构成的神经晶体管的原理、版图与工艺 | 第76-81页 |
| §5.1.1 RTD构成的神经晶体管的原理 | 第76-79页 |
| §5.1.2 NDR HBT构成的神经晶体管版图与工艺 | 第79-81页 |
| §5.2 NDR HBT构成的柔性逻辑电路的原理、版图与工艺 | 第81-85页 |
| §5.2.1 NDR HBT构成的柔性逻辑电路的原理 | 第81-84页 |
| §5.2.2 NDR HBT构成的柔性逻辑电路版图与工艺 | 第84-85页 |
| 第六章 结束语 | 第85-86页 |
| 参考文献： | 第86-93页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第93-94页 |
| 附录 | 第94-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
