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MEMS用硅基永磁薄膜阵列设计与制备研究

中文摘要第1-4页
英文摘要第4-7页
第一章 绪论第7-11页
 1.1 引言第7页
 1.2 军用MEMS技术研究现状第7-9页
 1.3 MEMS用永磁薄膜研究现状第9-10页
 1.4 本文主要工作第10-11页
第二章 永磁薄膜阵列磁场的解析计算第11-29页
 2.1 磁学计算基本方程第11-12页
 2.2 各向异性等效场第12页
 2.3 物理模型第12-14页
 2.4 近似假设第14-15页
 2.5 永磁薄膜工作点的确定第15-16页
 2.6 退磁因子的计算第16-17页
 2.7 计算算法第17-19页
 2.8 磁力的计算第19-20页
 2.9 计算结果分析第20-26页
 2.10 结论第26-29页
第三章 永磁薄膜阵列磁场的有限元分析第29-41页
 3.1 概述第29-30页
 3.2 有限元分析的磁学基础第30-32页
  3.2.1 边界条件第30-31页
  3.2.2 电磁场的位第31-32页
 3.3 各向异性磁场有限元原理第32-34页
 3.4 Newton-Raphson方法第34页
 3.5 有限元计算模型第34-35页
 3.6 有限元网格划分第35-37页
 3.7 计算结果分析第37-39页
 3.8 结论第39-41页
第四章 各向异性永磁薄膜阵列制备第41-57页
 4.1 概述第41-43页
 4.2 电极过程第43-44页
 4.3 影响薄膜磁性能的因素第44-45页
 4.4 镀液的成分与作用第45-46页
 4.5 实验第46-49页
 4.6 实验结果第49-54页
 4.7 结论第54-57页
第五章 研究结论第57-59页
参考文献第59-61页
致谢第61页

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