| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-6页 |
| 1 引言 | 第6-14页 |
| 1．1 半导体核辐射探测器的发展 | 第6-7页 |
| 1．2 室温半导体核辐射探测器的研究现状与发展趋势 | 第7-10页 |
| 1．3 CdSe室温半导体核辐射探测器材料 | 第10-14页 |
| 2 原理 | 第14-33页 |
| 2．1 探测原理 | 第14-16页 |
| 2．2 半导体探测器的类型 | 第16-20页 |
| 2．3 半导体探测器的主要参数 | 第20-26页 |
| 2．4 探测器中的电荷输运 | 第26-30页 |
| 2．5 陷阱效应 | 第30-33页 |
| 3 CdSe探测器的制备 | 第33-44页 |
| 3．1 材料选取 | 第33页 |
| 3．2 晶片加工 | 第33-37页 |
| 3．3 电极制作 | 第37-43页 |
| 3．4 密封保护及固定安装 | 第43-44页 |
| 4 测试结果及讨论 | 第44-52页 |
| 4．1 能谱特性 | 第44-48页 |
| 4．2 极化观察 | 第48-50页 |
| 4．3 陷阱效应对探测器的影响 | 第50-52页 |
| 5 结论 | 第52-53页 |
| 6 展望 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 附件 | 第57页 |