| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1．1 前言 | 第8-12页 |
| 1．2 我们的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 激光器结构选择和理论分析 | 第13-45页 |
| 2．1 激光器结构选择 | 第13-15页 |
| 2．2 理论分析 | 第15-37页 |
| 2．2．1 量子阱中的限制态 | 第15-19页 |
| 2．2．2 在量子阱中的态密度 | 第19-20页 |
| 2．2．3 限制态上的集居数 | 第20-24页 |
| 2．2．4 GRIN-SCH-SQW中其限制和模式行为 | 第24-37页 |
| 2．2．4．1 限制因子和折射率分布 | 第24-25页 |
| 2．2．4．2 模折射率和近场图 | 第25-30页 |
| 2．2．4．3 远场图和远场角 | 第30页 |
| 2．2．4．4 数值结果 | 第30-37页 |
| 2．3 应变层In（1-（?）-（?））Ga_（?）Al_（?）As／GaAs激光器的主要参数计算 | 第37-45页 |
| 2．3．1 晶格失配与应变及对能带结构的影响 | 第37-39页 |
| 2．3．2 应变层生长的临界厚度 | 第39页 |
| 2．3．3 激射波长 | 第39-40页 |
| 2．3．4 光增益系数 | 第40-41页 |
| 2．3．5 各层中之吸收系数（除有源层和波导层） | 第41-42页 |
| 2．3．6 阈值电流密度 | 第42-43页 |
| 2．3．7 光谱线宽 | 第43-44页 |
| 2．3．8 输出功率 | 第44-45页 |
| 第三章 器件设计 | 第45-50页 |
| 3．1 量子阱材料设计 | 第45-48页 |
| 3．1．1 有源层In（1-（?）-（?））Ga_（?）Al_（?）As组分和阱宽的选择 | 第45-46页 |
| 3．1．2 波导层设计 | 第46页 |
| 3．1．3 包层组分和厚度的选择 | 第46页 |
| 3．1．4 缓冲层的设计 | 第46-47页 |
| 3．1．5 顶层设计 | 第47页 |
| 3．1．6 芯片材料参数 | 第47-48页 |
| 3．2 管芯结构设计 | 第48-50页 |
| 3．2．1 电流注入条形的设计 | 第48页 |
| 3．2．2 激光器端面非对称膜设计 | 第48-49页 |
| 3．2．3 管芯结构及芯片组装 | 第49-50页 |
| 3．2．4 激光器封装设计 | 第50页 |
| 第四章 工艺设计与管芯制作 | 第50-57页 |
| 4．1 工艺设计 | 第50-52页 |
| 4．1．1 工艺流程设计 | 第50-51页 |
| 4．1．2 工艺要求 | 第51-52页 |
| 4．2 关键工艺 | 第52-57页 |
| 4．2．1 低压MOCVD生长 | 第52-54页 |
| 4．2．2 脊形波导的制作 | 第54页 |
| 4．2．3 欧姆接触工艺 | 第54-55页 |
| 4．2．4 端面镀膜工艺 | 第55-56页 |
| 4．2．5 烧焊 | 第56-57页 |
| 第五章 可靠性考虑 | 第57-59页 |
| 5．1 退化机理 | 第57-58页 |
| 5．2 可靠性保证 | 第58-59页 |
| 第六章 主要性能参数和特性曲线 | 第59-64页 |
| 6．1 外延片质量检测 | 第59-62页 |
| 6．2 器件性能参数和特性曲线 | 第62-64页 |
| 结束语 | 第64-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
| 个人简历、在学期间的研究成果及发表的论文 | 第68页 |
