| 一、 前言 | 第1-10页 |
| 1．1 概述 | 第8页 |
| 1．2 本课题研究的主要内容及意义 | 第8-10页 |
| 二、 垢的形成和处理 | 第10-18页 |
| 2．1 垢的形成 | 第10-12页 |
| 2．1．1 垢的形成原因 | 第10-11页 |
| 2．1．2 垢形成的动力学过程 | 第11-12页 |
| 2．2 垢的处理 | 第12-18页 |
| 2．2．1 结垢控制 | 第12-15页 |
| 2．2．2 化学垢处理剂的发展 | 第15-16页 |
| 2．2．3 化学垢处理剂应用 | 第16-18页 |
| 三、 结晶理论 | 第18-32页 |
| 3．1 溶解度和超溶解度曲线 | 第18-20页 |
| 3．1．1 溶解度及其影响因素 | 第18-19页 |
| 3．1．2 超溶解度曲线 | 第19-20页 |
| 3．2 过饱和溶液、溶液过饱和度及其表示法 | 第20-21页 |
| 3．3 结晶过程 | 第21-22页 |
| 3．3．1 晶核的产生 | 第21-22页 |
| 3．3．2 晶体的生长 | 第22页 |
| 3．4 晶体生长理论 | 第22-26页 |
| 3．4．1 表面能理论 | 第22页 |
| 3．4．2 吸附层理论 | 第22-24页 |
| 3．4．3 螺旋位错理论 | 第24页 |
| 3．4．4 晶体生长的扩散学说 | 第24-26页 |
| 3．5 晶体生长的速率公式 | 第26-27页 |
| 3．6 影响晶体生长的因素 | 第27-28页 |
| 3．7 添加剂（杂质）对晶体生长的影响 | 第28-30页 |
| 3．8 添加剂的作用机理 | 第30页 |
| 3．9 晶体生长的散布现象 | 第30-32页 |
| 四、 实验部分 | 第32-42页 |
| 4．1 实验原理 | 第32-33页 |
| 4．2 实验仪器和装置 | 第33-35页 |
| 4．2．1 实验仪器 | 第33-34页 |
| 4．2．2 实验装置 | 第34-35页 |
| 4．3 实验方法 | 第35-36页 |
| 4．3．1 晶体生长速率的测定方法 | 第35页 |
| 4．3．2 成核延迟时间的测定方法 | 第35-36页 |
| 4．4 实验内容 | 第36-42页 |
| 4．4．1 二水硫酸钙晶体生长及添加剂对它的影响实验 | 第36-41页 |
| 4．4．1．1 二水硫酸钙晶种的制备 | 第36-37页 |
| 4．4．1．2 二水硫酸钙过饱和溶液的制备 | 第37-39页 |
| 4．4．1．3 晶体生长速率的计算 | 第39-40页 |
| 4．4．1．4 晶体生长实验步骤 | 第40-41页 |
| 4．4．2 硫酸钙成核实验 | 第41页 |
| 4．4．3 添加剂对硫酸钙成核的影响实验 | 第41-42页 |
| 五、 实验结果与讨论 | 第42-63页 |
| 5．1 二水硫酸钙晶体生长及添加剂对它的影响实验结果 | 第42-53页 |
| 5．1．1 二水硫酸钙在过饱和溶液中的晶体生长现象（不存在添加剂） | 第42-43页 |
| 5．1．2 添加剂对二水硫酸钙晶体生长的影响 | 第43-49页 |
| 5．1．3 添加剂对二水硫酸钙晶体生长的影响机理 | 第49-50页 |
| 5．1．4 实验结论 | 第50-53页 |
| 5．2 硫酸钙成核实验 | 第53-56页 |
| 5．2．1 实验结果与讨论 | 第53-55页 |
| 5．2．2 实验结论 | 第55-56页 |
| 5．3 添加剂对硫酸钙成核的影响实验 | 第56-61页 |
| 5．3．1 实验结果与讨论 | 第56-61页 |
| 5．3．2 实验结论 | 第61页 |
| 5．4 总结与讨论 | 第61-63页 |
| 六、 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
