等离子体增强化学气相沉积类金刚石薄膜的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 绪论 | 第9-18页 |
| 第一章 类金刚石（DLC）薄膜的相关理论 | 第18-26页 |
| ·等离子体的基本概念 | 第18-19页 |
| ·等离子体的定义 | 第18页 |
| ·等离子体的分类 | 第18-19页 |
| ·描述等离子体的基本参量 | 第19页 |
| ·类金刚石薄膜的生长机理模型 | 第19-20页 |
| ·热峰模型 | 第19-20页 |
| ·离子刻蚀模型 | 第20页 |
| ·亚表面注入模型 | 第20页 |
| ·电感耦合等离子体的基本原理 | 第20-22页 |
| ·电感耦合等离子体的基本类型和特点 | 第20-21页 |
| ·电感耦合等离子体的形成机理 | 第21-22页 |
| ·介质阻挡放电（DBD）简介 | 第22-25页 |
| ·介质阻档放电原理及物理过程 | 第23-24页 |
| ·介质阻挡放电的电极结构 | 第24-25页 |
| 本章小结 | 第25-26页 |
| 第二章 实验方案及内容简介 | 第26-35页 |
| ·实验方案 | 第26页 |
| ·薄膜的表征及等离子体诊断方法简介 | 第26-31页 |
| ·傅立叶红外吸收光谱分析（FTIR） | 第26页 |
| ·扫描电子显微(SEM) | 第26-28页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第28-31页 |
| ·台阶仪 | 第31页 |
| ·等离子体诊断方法 | 第31-34页 |
| 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 IC-PECVD 法制备类金刚石薄膜 | 第35-52页 |
| ·实验装置简介 | 第35-37页 |
| ·实验过程简介 | 第37-38页 |
| ·实验结果的表征 | 第38-51页 |
| ·CH_4 气体的实验结果 | 第38-47页 |
| ·C_2H_4 气体的实验结果 | 第47-49页 |
| ·C-2H_2 气体的实验结果 | 第49-51页 |
| 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 DBD-PECVD 法制备类金刚石薄膜 | 第52-69页 |
| ·实验装置、方案及过程的简述 | 第52-54页 |
| ·实验装置的简介 | 第52-53页 |
| ·实验方案及过程简述 | 第53-54页 |
| ·DBD-PECVD 法制备DLC 薄膜的表征 | 第54-68页 |
| ·FTIR 结果 | 第54-57页 |
| ·放电气压对薄膜性能的影响 | 第57-63页 |
| ·电源频率对薄膜性能的影响 | 第63-68页 |
| 本章小结 | 第68-69页 |
| 结论与展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
