| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-15页 |
| 前言 | 第15-17页 |
| 第一章 文献综述 | 第17-44页 |
| ·化学机械抛光技术产生 | 第17-22页 |
| ·集成电路发展以其对高品质硅片的需求 | 第17-18页 |
| ·化学机械抛光技术的产生与发展 | 第18-22页 |
| ·化学机械抛光技术组成 | 第22-27页 |
| ·化学机械抛光的主要技术要素 | 第22-25页 |
| ·化学机械抛光的主要技术指标 | 第25-27页 |
| ·化学机械抛光浆料 | 第27-28页 |
| ·化学机械抛光理论 | 第28-40页 |
| ·化学机械抛光中物理模型的提出及局限性 | 第28-32页 |
| ·化学机械抛光中化学模型的提出及重要性 | 第32-36页 |
| ·硅片化学机械抛光中的化学反应机理 | 第36-40页 |
| ·国内外硅片生产现状 | 第40-42页 |
| ·化学机械抛光技术发展中存在的问题 | 第42页 |
| ·本文研究目的和意义 | 第42-44页 |
| 第二章 水相介质中纳米SiO_2的分散稳定性能研究 | 第44-80页 |
| ·概述 | 第44-47页 |
| ·纳米SiO_2结构 | 第44-45页 |
| ·纳米SiO_2化学机械抛光浆料 | 第45-47页 |
| ·本章研究内容 | 第47页 |
| ·实验方法 | 第47-51页 |
| ·实验原料与试剂 | 第47-48页 |
| ·实验设备与仪器 | 第48页 |
| ·实验方法 | 第48-51页 |
| ·纳米SiO_2及其在水介质中的聚沉现象 | 第51-55页 |
| ·纳米SiO_2的表征 | 第51-54页 |
| ·纳米SiO_2在水介质中的聚沉 | 第54-55页 |
| ·水相体系纳米SiO_2的分散行为与稳定性能 | 第55-79页 |
| ·pH值对纳米SiO_2颗粒润湿性的影响 | 第56页 |
| ·pH值对纳米SiO_2浆料稳定性的影响 | 第56-60页 |
| ·机械搅拌对纳米SiO_2浆料稳定性的影响 | 第60-62页 |
| ·超声分散对纳米SiO_2浆料稳定性的影响 | 第62-63页 |
| ·表面活性剂对纳米SiO_2浆料稳定性的影响 | 第63-78页 |
| ·不同碱对纳米SiO_2浆料稳定性的影响 | 第78-79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第三章 纳米SiO_2浆料中半导体硅片化学机械抛光电化学研究 | 第80-129页 |
| ·概述 | 第80-85页 |
| ·硅的基本性质及其应用 | 第80-82页 |
| ·化学机械抛光电化学研究现状 | 第82-85页 |
| ·本章研究内容 | 第85页 |
| ·实验方法 | 第85-87页 |
| ·实验原料与试剂 | 第85-86页 |
| ·实验仪器与设备 | 第86页 |
| ·实验装置与方法 | 第86-87页 |
| ·硅—水体系的电位—pH图 | 第87-89页 |
| ·纳米SiO_2浆料中硅片的腐蚀成膜特性 | 第89-105页 |
| ·硅片腐蚀成膜的影响因素 | 第89-102页 |
| ·硅片的腐蚀成膜机理 | 第102-105页 |
| ·纳米SiO_2浆料中硅片化学机械抛光过程的电化学行为 | 第105-127页 |
| ·硅片抛光过程中极化曲线的影响因素 | 第105-122页 |
| ·硅片抛光过程中腐蚀电位的变化 | 第122-127页 |
| ·本章小结 | 第127-129页 |
| 第四章 纳米SiO_2浆料中半导体硅片化学机械抛光速率研究 | 第129-146页 |
| ·概述 | 第129-130页 |
| ·化学机械抛光速率及机理研究的意义 | 第129-130页 |
| ·本章研究内容 | 第130页 |
| ·实验方法 | 第130-132页 |
| ·实验原料与试剂 | 第130页 |
| ·实验仪器与设备 | 第130页 |
| ·实验装置与方法 | 第130-132页 |
| ·纳米SiO_2浆料中硅片化学机械抛光速率的影响因素 | 第132-140页 |
| ·浆料SiO_2固含量的影响 | 第132-133页 |
| ·抛光压力的影响 | 第133-136页 |
| ·抛光转速的影响 | 第136-137页 |
| ·抛光时间的影响 | 第137页 |
| ·浆料pH值的影响 | 第137-139页 |
| ·浆料 H_2O_2浓度的影响 | 第139-140页 |
| ·抛光硅片的表面粗糙度 | 第140-141页 |
| ·纳米SiO_2浆料中硅片化学机械抛光速率机理 | 第141-144页 |
| ·本章小结 | 第144-146页 |
| 第五章 硅片化学机械抛光量子化学计算 | 第146-166页 |
| ·概述 | 第146-152页 |
| ·量子化学及从头计算方法 | 第146-147页 |
| ·主要量子化学计算软件简介 | 第147-148页 |
| ·氧化硅水合作用 | 第148-151页 |
| ·本章研究内容 | 第151-152页 |
| ·硅片化学机械抛光量子化学计算 | 第152-163页 |
| ·Si(111)簇模型的建立 | 第152-153页 |
| ·硅片化学机械抛光过程中的化学反应路径 | 第153-157页 |
| ·硅片化学机械抛光过程中不同碱与反应产物的相互作用能 | 第157-159页 |
| ·硅片化学机械抛光过程中水合反应的热力学常数 | 第159-163页 |
| ·本章小结 | 第163-166页 |
| 第六章 新型纳米SiO_2浆料用于半导体硅片化学机械抛光的工业试验 | 第166-194页 |
| ·概述 | 第166-171页 |
| ·硅片加工过程 | 第166-169页 |
| ·新型纳米SiO_2浆料工业试验的意义 | 第169-170页 |
| ·本章研究内容 | 第170-171页 |
| ·试验方法 | 第171-176页 |
| ·试验材料和试剂 | 第171页 |
| ·抛光设备 | 第171-172页 |
| ·检测与分析仪器 | 第172页 |
| ·试验方法 | 第172-176页 |
| ·试验结果与讨论 | 第176-189页 |
| ·硅片粗抛速率 | 第177-179页 |
| ·硅片抛光质量 | 第179-189页 |
| ·本章小结 | 第189-194页 |
| 第七章 结论 | 第194-197页 |
| 参考文献 | 第197-212页 |
| 附录1 北京有研硅股工业试验抛光硅片表面颗粒数检测结果 | 第212-232页 |
| 附录2 北京有研硅股工业试验抛光硅片表面抛光雾检测结果 | 第232-254页 |
| 附录3 GRACE2040粗、中抛液工业试验初试报告 | 第254-256页 |
| 致谢 | 第256-258页 |
| 攻读博士学位期间的主要业绩 | 第258-262页 |
