| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-10页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| ·问题的提出及研究意义 | 第10-15页 |
| ·砷化镓晶体与溶质分凝效应 | 第11-13页 |
| ·液封直拉法（LEC 法） | 第13-14页 |
| ·双坩埚LEC 法 | 第14-15页 |
| ·国内外研究现状 | 第15-17页 |
| ·LEC 法GaAs 单晶生长中掺杂物分凝效应的研究现状 | 第15页 |
| ·液封直拉法（LEC 法）研究现状 | 第15-17页 |
| ·双坩埚LEC 法研究现状 | 第17页 |
| ·课题研究内容 | 第17-19页 |
| 2 液封直拉法物理模型和数学模型 | 第19-25页 |
| ·引言 | 第19页 |
| ·物理模型 | 第19-20页 |
| ·数学模型 | 第20-24页 |
| ·基本控制方程 | 第21页 |
| ·边界条件 | 第21-23页 |
| ·低雷诺数κ-ε湍流模型 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 3 双坩埚LEC 法物理模型和数学模型 | 第25-29页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·物理模型 | 第25-26页 |
| ·数学模型 | 第26-28页 |
| ·基本控制方程 | 第26-27页 |
| ·边界条件 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 4 计算方法 | 第29-39页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·FLUENT 软件介绍 | 第29页 |
| ·FLUENT 解决问题的步骤 | 第29-30页 |
| ·GAMBIT | 第29-30页 |
| ·FLUENT | 第30页 |
| ·计算过程 | 第30-38页 |
| ·有限容积法简介 | 第30-31页 |
| ·FLUENT 中的格式选择 | 第31-37页 |
| ·网格检验 | 第37-38页 |
| ·数学模型和计算方法正确性验证 | 第38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 5 液封直拉法晶体生长熔体输运结果分析 | 第39-48页 |
| ·晶体转速的影响 | 第39-42页 |
| ·坩埚转速的影响 | 第42-44页 |
| ·坩埚侧壁与晶体生长界面温差的影响 | 第44-46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 6 双坩埚LEC 法晶体生长熔体输运结果分析 | 第48-57页 |
| ·晶体转速的影响 | 第48-50页 |
| ·内坩埚转速的影响 | 第50-52页 |
| ·外坩埚转速的影响 | 第52-54页 |
| ·典型工况下 Si 的物质输运 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 7 结论与展望 | 第57-59页 |
| ·主要结论 | 第57页 |
| ·工作展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 附录 | 第65页 |