超声喷雾热解法制备SnO2:F薄膜及性能分析
摘要 | 第1-4页 |
Abstract | 第4-8页 |
1 前言 | 第8-12页 |
·几种透明导电薄膜简介 | 第8-10页 |
·ZnO薄膜 | 第8-9页 |
·In_2O_3薄膜 | 第9-10页 |
·SnO_2薄膜 | 第10页 |
·论文的研究目标和主要内容 | 第10-12页 |
2 SnO_2导电薄膜 | 第12-29页 |
·SnO_2薄膜特性 | 第12-13页 |
·SnO_2薄膜晶体结构 | 第12页 |
·SnO_2薄膜光电特性 | 第12-13页 |
·SnO_2薄膜物理化学特性 | 第13页 |
·掺杂SnO_2薄膜的导电机理 | 第13-21页 |
·半导体的导电机理 | 第13-14页 |
·半导体中电子的运输 | 第14-15页 |
·半导体的电子散射机制 | 第15-20页 |
·掺锑、氟SnO_2薄膜的导电机理 | 第20-21页 |
·薄膜生长 | 第21-22页 |
·薄膜生长的三种模式 | 第21页 |
·薄膜生长的阶段 | 第21-22页 |
·掺杂SnO_2薄膜材料的常用制备方法 | 第22-26页 |
·化学气相沉积法 | 第22-23页 |
·溶胶-凝胶法 | 第23页 |
·喷雾热解法 | 第23-26页 |
·SnO_2薄膜的应用 | 第26-28页 |
·太阳能电池 | 第26-27页 |
·光电子器件 | 第27页 |
·透明电极 | 第27-28页 |
·本章小结 | 第28-29页 |
3 超声喷雾热解法制备SnO_2:F透明导电薄膜 | 第29-43页 |
·喷雾热解法制备薄膜的原理 | 第29页 |
·实验装置 | 第29-30页 |
·薄膜性能测试技术 | 第30-32页 |
·薄膜结构和表面形貌的测量 | 第30页 |
·方阻的测量 | 第30-31页 |
·光透过率的测量 | 第31页 |
·膜厚的测量 | 第31-32页 |
·测试SnO_2:F薄膜方阻随温度变化的实验电路 | 第32页 |
·正交设计方法在薄膜制备中的应用 | 第32-36页 |
·正交设计方法介绍 | 第32-34页 |
·正交方法设计实验 | 第34-35页 |
·超声喷雾热解法制备SnO_2:F薄膜的步骤 | 第35-36页 |
·正交方法分析实验结果 | 第36-42页 |
·回归分析 | 第39-42页 |
·本章小结 | 第42-43页 |
4 SnO_2:F薄膜性能研究 | 第43-55页 |
·影响SnO_2:F薄膜性能的工艺参数 | 第43-46页 |
·基底温度对薄膜光透过率和方阻的影响 | 第43-44页 |
·喷涂时间对薄膜光透过率和方阻的影响 | 第44页 |
·F掺杂量对薄膜光透过率和方阻的影响 | 第44-45页 |
·酒精浓度对薄膜光透过率和方阻的影响 | 第45-46页 |
·薄膜性能测试 | 第46-48页 |
·发热功率测试 | 第46-47页 |
·结合强度测试 | 第47页 |
·化学稳定性测试 | 第47页 |
·热稳定性测试 | 第47页 |
·表面形貌测试 | 第47-48页 |
·薄膜方阻-温度分析 | 第48-53页 |
·SPSS软件 | 第48-49页 |
·方阻为62Ω的SnO_2:F薄膜热稳定性分析 | 第49-51页 |
·方阻为95Ω的SnO_2:F薄膜热稳定性分析 | 第51页 |
·方阻为91Ω的SnO_2:F薄膜热稳定性分析 | 第51-53页 |
·本章小结 | 第53-55页 |
5 总结 | 第55-56页 |
·本文研究工作总结 | 第55页 |
·未来工作展望 | 第55-56页 |
致谢 | 第56-57页 |
参考文献 | 第57-61页 |
附录 | 第61页 |