首页--数理科学和化学论文--物理学论文--固体物理学论文--固体性质论文--电学性质论文

半导体,金属合金,拓扑绝缘体和半金属的表面和界面电子性质研究

摘要第1-7页
Abstract第7-9页
目录第9-12页
第一章 绪论第12-20页
   ·有机薄膜第12-13页
   ·表面与界面的Rashba效应第13-15页
   ·论文的主要研究内容第15页
   ·论文的内容安排第15-17页
 参考文献第17-20页
第二章 理论背景第20-40页
   ·表面电子态第20-21页
   ·角分辨光电子能谱第21-27页
     ·二维能带的线形第23-27页
       ·光电效应的费米黄金法则(Fermi's golden rule)第24页
       ·准粒子模型第24-25页
       ·谱函数与自能第25-27页
   ·多体相互作用第27-29页
     ·电声子耦合作用第28-29页
   ·自旋轨道相互作用和Rashba效应第29-32页
   ·拓扑绝缘体简介第32-35页
     ·不变量v_0和狄拉克点第33-34页
     ·自旋简并破除第34-35页
     ·时间反演对称性及稳定性第35页
   ·密度泛函理论第35-37页
 参考文献第37-40页
第三章 实验装置第40-49页
   ·光电子能谱仪装置简介第40-44页
     ·ADES-400光电子能谱仪第40-41页
     ·SGM-3光束线第41-42页
     ·实验站第42-44页
   ·角分辨光电子能谱实验细节第44-48页
     ·Phoibos 150能量分析仪第44-46页
     ·数据采集第46-48页
 参考文献第48-49页
第四章 Tetracene分子在Si(111)-7×7表面上的界面电子态研究第49-66页
   ·引言第49-50页
   ·实验及计算参数设置第50-51页
   ·实验结果与讨论第51-63页
   ·小结第63-64页
 参考文献第64-66页
第五章 Bi/Ag(111)合金表面Rashba劈裂态的强电声子耦合作用的研究第66-82页
   ·引言第66-69页
   ·实验细节第69-70页
     ·样品准备第69-70页
     ·实验参数设置第70页
   ·结果与讨论第70-77页
   ·小结第77-78页
 参考文献第78-82页
第六章 拓扑绝缘体Bi_2Se_3(111)表面拓扑态的稳定性研究第82-100页
   ·引言第82-83页
   ·实验细节第83-85页
     ·样品制备第83-84页
     ·实验设置第84-85页
   ·结果与讨论第85-95页
     ·时间调控和二维电子气(2DEG)第85-88页
     ·电声子耦合第88-93页
     ·电子-缺陷相互作用第93-95页
   ·小结第95-96页
 参考文献第96-100页
第七章 Sb(110)表面的电子结构及表面态拓扑判断第100-112页
   ·引言第100-101页
   ·实验细节第101-102页
   ·结果与讨论第102-109页
     ·电子结构第103-107页
     ·表面态拓扑讨论第107-109页
   ·小结第109-110页
 参考文献第110-112页
第八章 结论与展望第112-114页
博士期间发表的论文第114-116页
Acknowledgements第116-118页
致谢第118页

论文共118页,点击 下载论文
上一篇:基于原子干涉的高分辨率引力测量
下一篇:石墨烯及其相关结构的生长和性质研究