X射线探测器集成化技术研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·引言 | 第10-11页 |
| ·X 射线探测器 | 第11-14页 |
| ·半导体X 射线探测器 | 第12页 |
| ·闪烁探测器 | 第12-13页 |
| ·集成化X 射线探测器 | 第13-14页 |
| ·无机闪烁晶体 | 第14-18页 |
| ·常用无机闪烁晶体 | 第14-15页 |
| ·Cs(Tl)光光转化机理 | 第15-17页 |
| ·Cs(Tl)晶体的特性 | 第17-18页 |
| ·本文主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 荧光转换薄膜的性能分析及结构设计 | 第20-35页 |
| ·连续层CSI(T_L)模型 | 第20-23页 |
| ·CSI(T_L)晶体单元模型 | 第23-25页 |
| ·具有晶柱结构的CSI(T_L)层模型 | 第25-29页 |
| ·计算结果与分析 | 第29-32页 |
| ·薄膜厚度与荧光转换因子的关系 | 第29-31页 |
| ·晶柱直径与荧光转换因子的关系 | 第31-32页 |
| ·薄膜结构设计方案 | 第32-35页 |
| 第三章 CSI(TL)薄膜沉积实验 | 第35-50页 |
| ·薄膜的制备 | 第35-38页 |
| ·薄膜制备的主要方法 | 第35-36页 |
| ·真空蒸发沉积 | 第36-38页 |
| ·基本原理 | 第37页 |
| ·物质的蒸发速度 | 第37页 |
| ·电阻式蒸发装置 | 第37-38页 |
| ·实验装置及材料 | 第38-40页 |
| ·真空镀膜机 | 第38页 |
| ·CsI(Tl)材料 | 第38-40页 |
| ·蒸发容器 | 第40页 |
| ·基片 | 第40页 |
| ·真空蒸发沉积实验 | 第40-42页 |
| ·基片的清洗 | 第40-41页 |
| ·钼舟的清洗 | 第41-42页 |
| ·实验过程 | 第42页 |
| ·薄膜分析技术 | 第42-45页 |
| ·薄膜方阻的测量 | 第42-43页 |
| ·X 射线衍射（XRD）技术 | 第43-44页 |
| ·光学金相显微镜 | 第44-45页 |
| ·薄膜测试结果 | 第45-50页 |
| ·方阻测试 | 第46-47页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第47-48页 |
| ·薄膜显微照片 | 第48-50页 |
| 第四章 CSI(TL)薄膜制备的工艺研究 | 第50-67页 |
| ·沉积速率与衬底温度对薄膜微结构的影响 | 第50-56页 |
| ·沉积速率对薄膜微结构的影响 | 第50-53页 |
| ·衬底温度对薄膜微结构的影响 | 第53-56页 |
| ·衬底对薄膜晶体结构的影响 | 第56-62页 |
| ·衬底材料对结晶态的影响 | 第56-60页 |
| ·薄膜的择优取向生长 | 第60-62页 |
| ·薄膜厚度对结晶生长情况的影响 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 CCD 辐射损伤机理研究及实验 | 第67-77页 |
| ·辐射损伤机理 | 第67-69页 |
| ·位移效应 | 第67-68页 |
| ·电离效应 | 第68-69页 |
| ·辐射对半导体材料的影响 | 第69-70页 |
| ·对载流子密度的影响 | 第69页 |
| ·对载流子迁移率的影响 | 第69-70页 |
| ·对少数载流子寿命的影响 | 第70页 |
| ·CCD 暗电流受辐射剂量影响的模拟计算 | 第70-72页 |
| ·商用CCD 器件暗电流辐照试验 | 第72-76页 |
| ·中子注量与辐射剂量的转换 | 第72-73页 |
| ·试验方案 | 第73页 |
| ·试验结果及分析 | 第73-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第六章 结论 | 第77-79页 |
| ·本文已完成的工作 | 第77-78页 |
| ·课题的后续研究 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第84-85页 |
