摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第一章 绪论 | 第12-39页 |
1.1 宽禁带半导体材料的研究背景与发展趋势 | 第12页 |
1.2 氧化镓材料概述 | 第12-17页 |
1.2.1 几何结构 | 第13-15页 |
1.2.2 基本物理性质 | 第15-17页 |
1.3 氧化镓材料性质研究概述 | 第17-21页 |
1.3.1 几何结构与掺杂位置 | 第17页 |
1.3.2 电子性质 | 第17-19页 |
1.3.3 光学性质 | 第19-21页 |
1.3.4 磁学性质 | 第21页 |
1.4 氧化镓材料应用研究概述 | 第21-28页 |
1.4.1 太阳能盲UV光电探测器 | 第22-25页 |
1.4.2 β-Ga_2O_3功率器件的应用 | 第25-28页 |
1.5 研究进展总结及有待解决的问题 | 第28-30页 |
1.6 本论文结构安排 | 第30-32页 |
参考文献 | 第32-39页 |
第二章 理论基础与计算方法 | 第39-59页 |
2.1 引言 | 第39页 |
2.2 材料计算的发展与应用前景 | 第39-40页 |
2.3 第一性原理与密度泛函理论 | 第40-50页 |
2.3.1 Thomas-Femi模型 | 第42-43页 |
2.3.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第43-44页 |
2.3.3 Kohn-Sham方程 | 第44-47页 |
2.3.4 交换关联泛函 | 第47-50页 |
2.3.5 赝势 | 第50页 |
2.4 多体微扰理论(MBPT) | 第50-55页 |
2.4.1 GW近似 | 第52-53页 |
2.4.2 Bethe-Salpeter方程(BSE)和光学吸收 | 第53-55页 |
2.5 计算方法与程序 | 第55-57页 |
参考文献 | 第57-59页 |
第三章 二维β-Ga_2O_3基本物理性质研究 | 第59-76页 |
3.1 引言 | 第59-60页 |
3.2 理论模型与计算方法 | 第60-61页 |
3.3 二维β-Ga_2O_3的几何结构研究 | 第61-62页 |
3.4 二维β-Ga_2O_3的电子结构研究 | 第62-64页 |
3.5 二维β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应研究 | 第64-69页 |
3.5.1 单层二维β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应 | 第64-66页 |
3.5.2 双层及三层二维β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应 | 第66-69页 |
3.6 本章小结 | 第69-70页 |
参考文献 | 第70-76页 |
第四章 H-β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应研究 | 第76-89页 |
4.1 引言 | 第76-77页 |
4.2 理论模型与计算方法 | 第77-78页 |
4.3 H-β-Ga_2O_3的电子结构研究 | 第78-81页 |
4.3.1 H-β-Ga_2O_3几何结构研究 | 第78-79页 |
4.3.2 H-β-Ga_2O_3电子结构研究 | 第79-81页 |
4.4 H-β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应研究 | 第81-85页 |
4.4.1 单层H-β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应研究 | 第81-83页 |
4.4.2 双层及三层H-β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应研究 | 第83-85页 |
4.5 本章小结 | 第85-87页 |
参考文献 | 第87-89页 |
第五章 掺杂Si的β-Ga_2O_3体材料基本物理性质研究 | 第89-115页 |
5.1 引言 | 第89页 |
5.2 理论模型与计算方法 | 第89-90页 |
5.3 体相β-Ga_2O_3的物理性质研究 | 第90-101页 |
5.3.1 几何结构 | 第90-94页 |
5.3.2 电子结构 | 第94-97页 |
5.3.3 光学性质 | 第97-101页 |
5.4 掺杂Si的块体β-Ga_2O_3的物理性质研究 | 第101-111页 |
5.4.1 几何结构 | 第101-104页 |
5.4.2 电子结构 | 第104-108页 |
5.4.3 光学性质 | 第108-111页 |
5.5 本章小结 | 第111-112页 |
参考文献 | 第112-115页 |
第六章 总结与展望 | 第115-121页 |
6.1 论文总结 | 第115-120页 |
6.2 未来工作展望 | 第120-121页 |
致谢 | 第121-122页 |
攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第122页 |