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掺杂调制Ga2O3的电子结构与物性研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第一章 绪论第12-39页
    1.1 宽禁带半导体材料的研究背景与发展趋势第12页
    1.2 氧化镓材料概述第12-17页
        1.2.1 几何结构第13-15页
        1.2.2 基本物理性质第15-17页
    1.3 氧化镓材料性质研究概述第17-21页
        1.3.1 几何结构与掺杂位置第17页
        1.3.2 电子性质第17-19页
        1.3.3 光学性质第19-21页
        1.3.4 磁学性质第21页
    1.4 氧化镓材料应用研究概述第21-28页
        1.4.1 太阳能盲UV光电探测器第22-25页
        1.4.2 β-Ga_2O_3功率器件的应用第25-28页
    1.5 研究进展总结及有待解决的问题第28-30页
    1.6 本论文结构安排第30-32页
    参考文献第32-39页
第二章 理论基础与计算方法第39-59页
    2.1 引言第39页
    2.2 材料计算的发展与应用前景第39-40页
    2.3 第一性原理与密度泛函理论第40-50页
        2.3.1 Thomas-Femi模型第42-43页
        2.3.2 Hohenberg-Kohn定理第43-44页
        2.3.3 Kohn-Sham方程第44-47页
        2.3.4 交换关联泛函第47-50页
        2.3.5 赝势第50页
    2.4 多体微扰理论(MBPT)第50-55页
        2.4.1 GW近似第52-53页
        2.4.2 Bethe-Salpeter方程(BSE)和光学吸收第53-55页
    2.5 计算方法与程序第55-57页
    参考文献第57-59页
第三章 二维β-Ga_2O_3基本物理性质研究第59-76页
    3.1 引言第59-60页
    3.2 理论模型与计算方法第60-61页
    3.3 二维β-Ga_2O_3的几何结构研究第61-62页
    3.4 二维β-Ga_2O_3的电子结构研究第62-64页
    3.5 二维β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应研究第64-69页
        3.5.1 单层二维β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应第64-66页
        3.5.2 双层及三层二维β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应第66-69页
    3.6 本章小结第69-70页
    参考文献第70-76页
第四章 H-β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应研究第76-89页
    4.1 引言第76-77页
    4.2 理论模型与计算方法第77-78页
    4.3 H-β-Ga_2O_3的电子结构研究第78-81页
        4.3.1 H-β-Ga_2O_3几何结构研究第78-79页
        4.3.2 H-β-Ga_2O_3电子结构研究第79-81页
    4.4 H-β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应研究第81-85页
        4.4.1 单层H-β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应研究第81-83页
        4.4.2 双层及三层H-β-Ga_2O_3的光学性质及激子效应研究第83-85页
    4.5 本章小结第85-87页
    参考文献第87-89页
第五章 掺杂Si的β-Ga_2O_3体材料基本物理性质研究第89-115页
    5.1 引言第89页
    5.2 理论模型与计算方法第89-90页
    5.3 体相β-Ga_2O_3的物理性质研究第90-101页
        5.3.1 几何结构第90-94页
        5.3.2 电子结构第94-97页
        5.3.3 光学性质第97-101页
    5.4 掺杂Si的块体β-Ga_2O_3的物理性质研究第101-111页
        5.4.1 几何结构第101-104页
        5.4.2 电子结构第104-108页
        5.4.3 光学性质第108-111页
    5.5 本章小结第111-112页
    参考文献第112-115页
第六章 总结与展望第115-121页
    6.1 论文总结第115-120页
    6.2 未来工作展望第120-121页
致谢第121-122页
攻读博士学位期间发表的学术论文第122页

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