| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 PIN 二极管的简介 | 第9-10页 |
| 1.2 PIN 二极管的应用及国内外研究动态 | 第10-11页 |
| 1.3 课题提出的意义 | 第11页 |
| 1.4 本论文主要研究的内容 | 第11-13页 |
| 第2章 基础理论和仿真软件介绍 | 第13-24页 |
| 2.1 PN型二极管的结构模型 | 第13页 |
| 2.2 PN结的理论基础 | 第13-17页 |
| 2.2.1 载流子浓度与费米能级 | 第13-14页 |
| 2.2.2 PN结的正向边界条件 | 第14-17页 |
| 2.3 双极扩散方程 | 第17-18页 |
| 2.4 二极管的反向恢复过程介绍 | 第18-21页 |
| 2.4.1 反向恢复机理的分阶段介绍 | 第19-20页 |
| 2.4.2 软度因子 | 第20-21页 |
| 2.5 仿真软件介绍 | 第21-23页 |
| 2.5.1 Sentaurus-TCAD仿真软件 | 第21-22页 |
| 2.5.2 Simulink 仿真系统 | 第22-23页 |
| 2.6 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 功率二极管的直流仿真及其分析 | 第24-36页 |
| 3.1 Sentaurus-TCAD软件仿真参数介绍 | 第24-25页 |
| 3.1.1 Sentaurus-TCAD仿真流程 | 第24页 |
| 3.1.2 Sentaurus-TCAD下二极管结构参数与仿真模型 | 第24-25页 |
| 3.1.3 Sentaurus-TCAD中应用的OldSlotboom带隙收缩模型 | 第25页 |
| 3.2 Sentaurus-TCAD仿真结果 | 第25-29页 |
| 3.2.1 不同名义偏压下二极管的电学特性 | 第26-29页 |
| 3.3 正向偏压下的边界条件分析 | 第29-32页 |
| 3.3.1 p~+n~-侧的边界条件分析 | 第29-31页 |
| 3.3.2 n~-n~+侧的边界条件分析 | 第31-32页 |
| 3.4 正向偏压时二极管的空间电荷分布 | 第32-34页 |
| 3.5 少子寿命对二极管直流特性的影响 | 第34-35页 |
| 3.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 二极管的反向瞬态特性研究 | 第36-44页 |
| 4.1 二极管反向恢复过程理论模型 | 第36-38页 |
| 4.2 Simulink仿真系统模块 | 第38-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第5章 总结与展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及其它成果 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49页 |
