| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 专用术语注释表 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 二硫化钨的结构与性质 | 第11-14页 |
| 1.2.1 二硫化钨的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 二硫化钨的电子结构 | 第12-13页 |
| 1.2.3 二硫化钨的基本性质 | 第13-14页 |
| 1.3 二硫化钨常见的制备技术及现状 | 第14-17页 |
| 1.3.1 机械剥离法 | 第14页 |
| 1.3.2 液相超声法 | 第14-15页 |
| 1.3.3 锂离子插层法 | 第15-16页 |
| 1.3.4 水热法 | 第16页 |
| 1.3.5 化学气相沉积法 | 第16-17页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 实验仪器及其表征技术 | 第19-25页 |
| 2.1 实验材料和设备 | 第19-20页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第19页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第19-20页 |
| 2.2 表征技术 | 第20-24页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第20-21页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第21-22页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第22-23页 |
| 2.2.4 拉曼光谱 | 第23-24页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱 | 第24页 |
| 2.3 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 低压下WS_2薄膜的可控制备及其生长机制的研究 | 第25-35页 |
| 3.1 引言 | 第25页 |
| 3.2 实验过程 | 第25-27页 |
| 3.2.1 衬底清洗 | 第25-26页 |
| 3.2.2 WS_2生长过程 | 第26-27页 |
| 3.3 制备过程中主要参数对二硫化钨薄膜形貌的影响 | 第27-33页 |
| 3.3.1 硫引入时间对二硫化钨薄膜形貌的影响 | 第28-29页 |
| 3.3.2 氧化钨加热温度对二硫化钨薄膜形貌的影响 | 第29-30页 |
| 3.3.3 SiO_2/Si衬底温度对二硫化钨薄膜形貌的影响 | 第30-33页 |
| 3.4 二硫化钨薄膜生长机制的研究 | 第33-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 常压下二硫化钨薄膜的可控制备 | 第35-44页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 实验过程 | 第35-36页 |
| 4.3 制备过程中主要参数对二硫化钨薄膜形貌的影响 | 第36-42页 |
| 4.3.1 氧化钨加热温度对二硫化钨薄膜形貌影响的研究 | 第36-38页 |
| 4.3.2 SiO_2/Si衬底与前驱体WO3距离对二硫化钨薄膜形貌影响的研究 | 第38-40页 |
| 4.3.3 载流气体流量大小对二硫化钨薄膜形貌影响的研究 | 第40-42页 |
| 4.4 与低压下比较 | 第42-43页 |
| 4.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 二硫化钨表面增强拉曼研究 | 第44-52页 |
| 5.1 引言 | 第44-45页 |
| 5.2 表面增强拉曼散射机理 | 第45-47页 |
| 5.2.1 电磁增强机制 | 第45-46页 |
| 5.2.2 化学增强机制 | 第46-47页 |
| 5.3 表面增强拉曼实验过程 | 第47-48页 |
| 5.3.1 WS_2薄膜上覆盖探测分子R6G的制备 | 第47页 |
| 5.3.2 光谱实验 | 第47-48页 |
| 5.4 实验结果和讨论 | 第48-51页 |
| 5.4.1 不同层厚WS_2薄片对不同浓度的R6G分子的拉曼增强效果 | 第48-50页 |
| 5.4.2 对增强机理的探究 | 第50-51页 |
| 5.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第六章 总结与展望 | 第52-55页 |
| 6.1 研究工作总结 | 第52-53页 |
| 6.2 研究工作展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-61页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
