| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 论文的背景与意义 | 第9-15页 |
| 1.1.1 SiC材料的优势 | 第9-10页 |
| 1.1.2 SiC器件的可靠性问题 | 第10-15页 |
| 1.2 研究现状 | 第15-17页 |
| 1.3 研究内容与主要目标 | 第17页 |
| 1.4 论文组织 | 第17-19页 |
| 第二章 SiC基VDMOS器件结构及栅应力退化研究方法 | 第19-35页 |
| 2.1 SiC基VDMOS器件的发展 | 第19-21页 |
| 2.2 SiC基VDMOS器件栅应力退化研究方法 | 第21-34页 |
| 2.2.1 亚阈值区I-V曲线 | 第21-26页 |
| 2.2.2 CP法 | 第26-30页 |
| 2.2.3 CV法 | 第30-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 SiC基VDMOS器件动态栅应力退化机理分析 | 第35-53页 |
| 3.1 栅应力退化的物理机理研究 | 第35-38页 |
| 3.1.1 界面态的产生 | 第36-37页 |
| 3.1.2 氧化层电荷缺陷产生 | 第37-38页 |
| 3.2 温度对动态栅应力退化的影响 | 第38-42页 |
| 3.3 栅极电压幅度对动态栅应力退化的影响 | 第42-44页 |
| 3.4 栅脉冲频率对动态栅应力退化的影响 | 第44-46页 |
| 3.5 栅脉冲上升下降时间对动态栅应力退化的影响 | 第46-48页 |
| 3.6 栅脉冲占空比对动态栅应力退化的影响 | 第48-50页 |
| 3.7 栅应力退化恢复研究 | 第50-52页 |
| 3.8 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 SiC基VDMOS器件动态栅应力退化寿命模型 | 第53-63页 |
| 4.1 动态栅应力下的退化寿命建模方案 | 第53-54页 |
| 4.2 动态栅应力退化寿命模型研究 | 第54-59页 |
| 4.2.1 动态栅应力的电场模型 | 第55-56页 |
| 4.2.2 动态栅应力的温度模型 | 第56-57页 |
| 4.2.3 动态栅应力的时间模型 | 第57-58页 |
| 4.2.4 动态栅应力下的阈值电压退化寿命模型 | 第58-59页 |
| 4.3 动态栅应力退化寿命模型验证 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 总结 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 攻读硕士期间取得成果 | 第71页 |
