超低功耗压控振荡器的研究与设计
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第14-21页 |
1.1 研究背景及意义 | 第14-15页 |
1.2 国内外研究现状 | 第15-19页 |
1.2.1 低功耗射频接收机研究现状 | 第15-18页 |
1.2.2 压控振荡器研究现状 | 第18-19页 |
1.3 本文的主要研究内容和组织结构 | 第19-21页 |
1.3.1 主要研究内容 | 第19-20页 |
1.3.2 论文的组织结构 | 第20-21页 |
第2章 射频接收机和压控振荡器基本理论 | 第21-44页 |
2.1 引言 | 第21页 |
2.2 射频接收机结构 | 第21-26页 |
2.2.1 超外差式接收机 | 第21-23页 |
2.2.2 镜像抑制接收机 | 第23-25页 |
2.2.3 零中频接收机 | 第25-26页 |
2.2.4 低中频接收机 | 第26页 |
2.3 压控振荡器基本理论 | 第26-37页 |
2.3.1 压控振荡器常用分析方法 | 第27-29页 |
2.3.2 压控振荡器的数学模型和主要性能指标 | 第29-31页 |
2.3.3 LC谐振网络分析 | 第31-33页 |
2.3.4 相位噪声模型 | 第33-37页 |
2.4 宽范围频率可调谐压控振荡器 | 第37-40页 |
2.4.1 开关电容阵列 | 第38-39页 |
2.4.2 开关电感切换 | 第39页 |
2.4.3 多个压控振荡器级联切换 | 第39-40页 |
2.5 正交压控振荡器 | 第40-43页 |
2.5.1 RC-CR相移网络法 | 第40-41页 |
2.5.2 主从触发器结构 | 第41页 |
2.5.3 正交耦合法 | 第41-43页 |
2.6 小结 | 第43-44页 |
第3章 超低功耗宽范围频率可调谐压控振荡器设计 | 第44-57页 |
3.1 引言 | 第44页 |
3.2 电路的结构与分析 | 第44-50页 |
3.2.1 电路设计步骤 | 第45-46页 |
3.2.2 正向衬底偏置技术 | 第46-47页 |
3.2.3 共源电感LS的选取 | 第47-48页 |
3.2.4 NMOS负阻耦合对亚阈值工作状态分析 | 第48-49页 |
3.2.5 宽范围频率可调谐电路设计 | 第49-50页 |
3.3 仿真结果分析 | 第50-53页 |
3.3.1 起振分析和瞬态仿真波形 | 第50-52页 |
3.3.2 频率调谐范围 | 第52-53页 |
3.3.3 相位噪声 | 第53页 |
3.4 版图设计 | 第53-55页 |
3.5 与相关文献性能比较 | 第55-56页 |
3.6 小结 | 第56-57页 |
第4章 超低功耗低相位噪声正交压控振荡器设计 | 第57-65页 |
4.1 引言 | 第57页 |
4.2 电路结构与分析 | 第57-61页 |
4.2.1 正交原理分析 | 第58-59页 |
4.2.2 电容反馈技术分析 | 第59-60页 |
4.2.3 直接衬底耦合技术 | 第60-61页 |
4.3 电路仿真结果 | 第61-63页 |
4.3.1 正交压控振荡器瞬态仿真波形 | 第61-62页 |
4.3.2 正交压控振荡器频率调谐范围 | 第62-63页 |
4.3.3 相位噪声 | 第63页 |
4.4 版图设计 | 第63-64页 |
4.5 与相关文献性能比较 | 第64页 |
4.6 小结 | 第64-65页 |
结论 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-74页 |
致谢 | 第74-75页 |
附录 A(攻读硕士学位期间所发表的学术论文目录) | 第75-76页 |
附录 B(攻读硕士学位期间所参与的学术科研活动) | 第76页 |